Low frequency negative capacitance behavior of molecular beam epitaxial GaAs n-low temperature-i-p structure with low temperature layer grown at a low temperature

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 9, 1998, Pages 1081-1083

  Chen, N C ^a   Wang, P Y ^a   Chen, J F ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0003691927     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120971     Document Type: Article

References (14)

1. J. F. Chen, N. C. Chen, S. Y. Chiu, P. Y. Wang, W. I. Lee, and A. Chin, J. Appl. Phys. 79, 8488 (1996).
2. D. C. Look, D. C. Walters, M. O. Manasreh, J. R. Sizelove, C. E. Stutz, and K. R. Evans, Phys. Rev. B 42, 3578 (1990).
3. F. W. Smith, H. Q. Le, V. Diadiuk, M. A. Hollis, A. R. Calawa, S. Gupta, M. Frankel, D. R. Dykaar, G. A. Mourou, and T. Y. Hsiang, Appl. Phys. Lett. 54, 890 (1989).
4. D. C. Look, G. D. Robinson, J. R. Sizelove, and C. E. Stutz, Appl. Phys. Lett. 62, 3004 (1993).
5. K. A. McIntosh, K. B. Nichols, S. Verghese, and E. R. Brown, Appl. Phys. Lett. 70, 354 (1997).
6. S. Gupta, M. Y. Frankel, J. A. Valdmanis, J. F. Whitaker, G. A. Mourou, F. W. Smith, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 59, 3276 (1991).
7. A. C. Warren, J. M. Woodall, J. L. Freeouf, D. Grischkowsky, D. T. McInturff, M. R. Melloch, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 57, 1331 (1990).
8. N. C. Chen, P. Y. Wang, and J. F. Chen, J. Appl. Phys. 83, 1403 (1998).
9. S. E. Laux, IEEE Trans. Comput.-Aided Des. 4, 472 (1985).
10. W. G. Oldham and S. S. Naik, Solid-State Electron. 15, 1085 (1972).
11. M. Ershov, H. C. Liu, L. Li, M. Buchanan, Z. R. Wasilewski, and V. Ryzhii, Appl. Phys. Lett. 70, 1828 (1997).
12. N. A. Penin, Semiconductors 30, 340 (1996).
13. A. K. Jonscher, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 82, 75 (1986).
14. K. S. A. Butcher, T. L. Tansley, and D. Alexiev, Solid-State Electron. 39, 333 (1996), and references therein.