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Volumn 83, Issue 3, 1998, Pages 1403-1409

Role of 0.66 eV dominant trap in annealed low-temperature grown molecular beam epitaxial GaAs

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EID: 0001406926     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366844     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.