Alternative pathway for the formation of C54 TiSi2

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 1, 1999, Pages 704-706

  Mouroux, Aliette ^a   Zhang, Shi Li ^a  

^a ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0002309641     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370789     Document Type: Article

References (25)

1. F. M. d'Heurle, P. Gas, I. Engström, S. Nygren, M. Östling, and C. S. Petersson, IBM Research Report RC 11151, No. 50067 (1985).
2. 2.
3. R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 57, 5240 (1985).
4. J. P. Gambino and E. G. Colgan, Mater. Chem. Phys. 52, 99 (1998).
5. R. W. Mann, G. L. Miles, T. A. Knotts, D. W. Rakowski, L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, and C. Cabral, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 3729 (1995).
6. A. Mouroux, S.-L. Zhang, W. Kaplan, S. Nygren, M. Östling, and C. S. Petersson, Appl. Phys. Lett. 69, 975 (1996).
7. A. Mouroux, S.-L. Zhang, W. Kaplan, S. Nygren, M. Östling, and C. S. Petersson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 427, 511 (1996).
8. C. Cabral, Jr., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. Heurle, R. A. Roy, K. L. Saenger, G. L. Miles, and R. W. Mann, J. Mater. Res. 12, 304 (1997).
9. A. Mouroux, S.-L. Zhang, and C. S. Petersson, Phys. Rev. B 56, 10614 (1997).
10. C. Cabral, Jr., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, R. A. Roy, C. Lavoie, G. L. Miles, R. W. Mann, and J. S. Nakos, Appl. Phys. Lett. 71, 3531 (1997).
11. A. Mouroux, B. Reynard, and S.-L. Zhang, in Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997, edited by R. Cheung, J. Klein, K. Tsubouchi, M. Murakami, and N. Kobayashi (Material Research Society, San Diego, CA, 1997), p. 605.
12. J. A. Kittl, Q.-Z. Hong, and M. R. Breedijk, IEEE Electron Device Lett. 19, 151 (1998).
13. S.-L. Zhang, C. Lavoie, C. Cabral, Jr., J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, and J. Jordan-Sweet, J. Appl. Phys. 85, 2617 (1999).
14. F. M. d'Heurle, in VLSI Science and Technology, edited by C. Dell Oca and W. M. Bullies (The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1982), p. 194.
15. M.-A. Nicolet and S. S. Lau, in VLSI Electronics Microstructure Science, edited by N. G. Einspuch and G. B. Larrabee (Academic, New York, 1983), Vol. 6, p. 360.
16. F. M. d'Heurle, J. Mater. Res. 3, 167 (1988).
17. F. M. d'Heurle, P. Gas, and J. Philibert, Defect Diffus. Forum 529, 143 (1997).
18. D. B. Aldrich, Y. L. Chen, D. E. Sayers, R. J. Nemanich, S. P. Ashburn, and M. C. Öztürk, J. Mater. Res. 10, 2849 (1995).
19. S. Motakef, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, T. A. Gallo, and N. Herbots, J. Appl. Phys. 70, 2660 (1991).
20. F. Bonoli, M. Iannuzzi, L. Miglio, and V. Meregalli, Appl. Phys. Lett. 73, 1964 (1998).
21. I. Barin, O. Knacke, and O. Kubaschewski, Thermochemical Properties of Inorganic Substances, Supplement (Springer, Berlin, 1977).
22. H. J. Goldschmidt, Interstitial Alloys (Butterworth, London, 1967), p. 318.
23. O. Thomas, S. Delage, and F. M. d'Heurle, in Spring Meeting (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1988), p. 209.
24. X.-H. Li, J. R. A. Carlsson, S. F. Gong, and H. T. G. Hentzell, J. Appl. Phys. 72, 514 (1992).
25. S.-L. Zhang, F. M. d'Heurle, C. Lavoie, C. Cabral, Jr., and J. M. E. Harper, Appl. Phys. Lett. 73, 312 (1998).