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Volumn 73, Issue 1, 1998, Pages 76-78

Oxygen-free dry etching of α-SiC using dilute SF6:Ar in an asymmetric parallel plate 13.56 MHz discharge

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EID: 0001931169     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121728     Document Type: Article
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References (9)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.