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Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1286-1288

Molecular beam epitaxy grown InGaN multiple quantum well structures optimized using in situ cathodoluminescence

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EID: 0001719141     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590001     Document Type: Article
Times cited : (16)

References (7)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.