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Volumn 83, Issue 21, 1999, Pages 4349-4352

GaN nucleation and growth on sapphire (0001): Incorporation and interlayer transport

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EID: 0001648496     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.83.4349     Document Type: Article
Times cited : (30)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.