Ion-assisted nucleation and growth of GaN on sapphire(0001)

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 58, Issue 8, 1998, Pages 4818-4824

  Headrick, R ^a   Kycia, S ^a   Woll, A ^b   Brock, J ^b  

^a Department of Obstetrics Gynecology   (United States)

^b Cornell University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000509701     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.58.4818     Document Type: Article

References (45)

1. J. E. Palmer, G. Burns, G. C. Fonstad, and C. V. Thompson, Appl. Phys. Lett. 55, 990 (1989).
2. F. Ernst and P. Pirouz, J. Mater. Res. 4, 834 (1989).
3. H. L. Tsai and R. J. Matyi, Appl. Phys. Lett. 55, 265 (1989).
4. E. A. Fitzgerald, JOM 41, 20 (1989).
5. R. L. Headrick, S. Kycia, Y. K. Park, A. R. Woll, and J. D. Brock, Phys. Rev. B 54, 14 686 (1996).
6. D. S. Wuu, R. H. Horng, and M. K. Lee, Appl. Phys. Lett. 54, 2244 (1989).
7. S. M. Koch, S. J. Rosner, R. Hull, G. W. Yoiffe, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 81, 67 (1987).
8. R. M. Lum, J. K. Klingert, B. A. Davidson, and M. G. Lamont, Appl. Phys. Lett. 51, 36 (1987).
9. M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989).
10. M. Copel, M. C. Reuter, M. Horn von Hoegen, and R. M. Tromp, Phys. Rev. B 42, 11 682 (1990).
11. Phys. Rev. BF. K. LeGoues, M. Copel, and R. M. Tromp, 42, 11 690 (1990).
12. H. A. van der Vegt, H. M. van Pinxteren, M. Lohmeier, E. Vlieg, and J. M. C. Thornton, Phys. Rev. Lett. 68, 3335 (1992).
13. C.-H. Choi and S. A. Barnett, Appl. Phys. Lett. 55, 2319 (1989).
14. Appl. Phys. Lett.C.-H. Choi, L. Hultman, R. Ai, and S. A. Barnett, 57, 2931 (1990).
15. C.-H. Choi, R. Ai, and S. A. Barnett, Phys. Rev. Lett. 67, 2826 (1991).
16. J. Mirecki Millunchick and S. A. Barnett, Appl. Phys. Lett. 65, 1136 (1994).
17. R. F. Davis, Z. Sitar, B. E. Williams, H. S. Kong, H. J. Kim, J. W. Palmour, J. A. Edmond, J. Ryu, J. T. Glass, and C. H. Carter, Mater. Sci. Eng., B 1, 77 (1988).
18. M. A. L. Johnson, Shizuo Fujita, W. H. Rowland, Jr., K. A. Bowers, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. El-Masry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J. Ren, and J. A. Edmond, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2349 (1996).
19. S. Strite and H. Morcoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
20. S. Strite, M. E. Lin, and H. Morcoç, Thin Solid Films 231, 197 (1993).
21. M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 701 (1989).
22. R. C. Powell, N.-E. Lee, Y.-W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
23. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, and J. T. Ross, Appl. Phys. Lett. 64, 64 (1994).
24. Weak reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations have been observed during (Formula presented) growth on GaAs; C. W. Snyder, B. G. Orr, D. Kessler, and L. M. Sander, Phys. Rev. Lett. 66, 3032 (1991).
25. An interesting example of layer-by-layer oscillations in a lattice-mismatched system occurs for the first 2-3 ML of organic thin film epitaxy on a Au(111) substrate; P. Fenter, P. Eisenberger, P. Burrows, S. R. Forrest, and K. S. Liang, Physica B 221, 145 (1996).
26. Intensity oscillations in electron diffraction patterns from the first three monolayers of CdSe grown on ZnSe have been observed; S. Fujita, Y.-H. Wu, Y. Kawakami, and S. Fujita, J. Appl. Phys. 72, 5233 (1992).
27. W. F. Egelhoff, Jr. and I. Jacob, Phys. Rev. Lett. 62, 921 (1989).
28. R. Held, D. E. Crawford, A. M. Johnston, A. M. Dabiran, and P. I. Cohen, J. Electron. Mater. 26, 272 (1997).
29. R. L. Headrick et. al (unpublished).
30. M. C. Bartelt and J. W. Evans, Phys. Rev. Lett. 75, 4250 (1995).
31. N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 70, 643 (1997).
32. C. Kim, I. K. Robinson, J. Myoung, K. Shim, M.-C. Yoo, and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 69, 2358 (1996).
33. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, and J. L. Rouviére, Phys. Rev. B 56, R7069 (1997).
34. J. Tersoff, A. W. Denier van der Gon, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 72, 266 (1994).
35. G. Rosenfeld, N. N. Lipkin, W. Wulfhekel, J. Kliewer, K. Morgenstern, B. Poelsema, and G. Comsa, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 61A, 455 (1995).
36. F. A. Ponce, J. J. S. Major, W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 65, 2302 (1994).
37. S. Guha, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990).
38. F. Houzay, C. Guille, J. M. Moison, P. Henoc, and F. Barthe, J. Cryst. Growth 81, 67 (1987).
39. Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
40. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
41. I. Daruka and A.-L. Baribási, Phys. Rev. Lett. 79, 3708 (1997).
42. C. E. C. Wood, Surf. Sci. Lett. 108, L441 (1981).
43. C. J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson, and N. Norton, Appl. Phys. A: Solids Surf. A31, 1 (1983).
44. J. M. Van Hove, C. S. Lent, P. R. Pukite, and P. I. Cohen, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 741 (1983).
45. J. G. Amar and F. Family, Phys. Rev. B 54, 14 742 (1996).