Accumulation of electrons in GaAs layers grown at low temperatures and containing arsenic clusters

Semiconductors

Volumn 32, Issue 10, 1998, Pages 1044-1047

  Brunkov, P N ^a   Chaldyshev, V V ^a   Bert, N A ^a   Suvorova, A A ^a   Konnikov, S G ^a   Chernigovskii A V ^b   Preobrazhenskii V V ^c   Putyato, M A ^c   Semyagin, B R ^c  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b PETER THE GREAT ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Russian Federation)

^c INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001462119     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187563     Document Type: Article

References (20)

1. F. W. Smith, A. R. Calawa, C. L. Chen, M. J. Mantra, and L. J. Mahoney, Electron Dev. Lett. 9, 77 (1988).
2. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, T. George, J. B. Kortright, F. W. Smith, B. Y. Tsaur, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 54, 1831 (1989).
3. M. R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J. M. Woodall, and A. C. Warren, J. Cryst. Growth 111, 39 (1991).
4. N. A. Bert, A. I. Veǐnger, M. D. Vilisova, S. I. Goloshchanov, I. V. Ivonin, S. V. Kozyrev, A. E. Kunitsyn, L. G. Lavrent'eva, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskiǐ, B. R. Semyagin, V. V. Tret'yakov, V. V. Chaldyshev, and M. P. Yakubenya, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 35, 2609 (1993) [Phys. Solid State 35, 1289 (1993)].
5. N. A. Bert, A. I. Veǐnger, M. D. Vilisova, S. I. Goloshchanov, I. V. Ivonin, S. V. Kozyrev, A. E. Kunitsyn, L. G. Lavrent'eva, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskiǐ, B. R. Semyagin, V. V. Tret'yakov, V. V. Chaldyshev, and M. P. Yakubenya, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 35, 2609 (1993) [Phys. Solid State 35, 1289 (1993)].
6. J. K. Luo, H. Thomas, D. V. Morgan, D. Westwood, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 9, 2199 (1994).
7. P. Blood, Semicond. Sci. Technol. 1, 7 (1986).
8. E. R. Brown, K. A. McIntosh, K. B. Nichols, and C. L. Dennis, Appl. Phys. Lett. 66, 285 (1995).
9. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Maksimov, N. N. Ledentsov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 924 (1996) [Semiconductors 30, 492 (1996)].
10. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Maksimov, N. N. Ledentsov, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 924 (1996) [Semiconductors 30, 492 (1996)].
11. P. N. Brounkov, T. Benyattou, and G. Guillot, J. Appl. Phys. 80, 864 (1996).
12. K. Kreher, Phys. Status Solidi A 135, 597 (1993).
13. D. C. Look, D. C. Walters, M. O. Manasreh, J. R. Sizelove, C. E. Stutz, and K. R. Evans, Phys. Rev. B 42, 3578 (1990).
14. H. Fujioka, E. R. Weber, and A. K. Verma, Appl. Phys. Lett. 66, 2834 (1995).
15. D. C. Look, Z. Q. Fang, H. Yamamoto, J. R. Sizelove, M. G. Mier, and E. Stutz, J. Appl. Phys. 76, 1029 (1994).
16. C. H. Goo, W. S. Lau, T. C. Chong, and L. S. Tan, Appl. Phys. Lett. 69, 2543 (1996).
17. T. C. Lin and T. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1630 (1996).
18. S. Hong, R. Reifenberger, D. B. Janes, D. Mclnturff, and J. M. Woodal, Appl. Phys. Lett. 68, 2258 (1996).
19. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 71, 638 (1997).
20. P. N. Brounkov, N. N. Faleev, Yu. G. Musikhin, A. A. Suvorova, A. F. Tsatsul'nikov, V. M. Maximov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and S. G. Konnikov, Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (IOP, Bristol, 1997), p. 841.