Characterization of annealed low-temperature GaAs layers grown by molecular beam epitaxy with n-i-n structure

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 35, Issue 3, 1996, Pages 1630-1636

  Lin, Tsai Cheng ^a   Okumura, Tsugunori ^a  

^a TOKYO METROPOLITAN UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

Annealing; Deep level transient spectroscopy (DLTS); EL2; EL3; Low temperature molecular beam epitaxy; Photoquenching; Resistivity

Indexed keywords

ANNEALING; CHARACTERIZATION; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON ENERGY LEVELS; EPITAXIAL GROWTH; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MATHEMATICAL MODELS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTOR GROWTH; STRUCTURE (COMPOSITION);

BURIED SCHOTTKY BARRIER MODEL; MIDGAP LEVEL; PHOTOCAPACITANCE QUENCHING MEASUREMENTS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0030101946     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.35.1630     Document Type: Article

References (32)

1. F. W. Smith, A. R. Calawa, C. L. Chen, M. J. Mantra and L. J. Mahoney: IEEE Electron Device Lett. 9 (1988) 77.
2. F. W. Smith, H. Q. Le, V. Diadiuk, M. A. Hollis, A. R. Calawa, S. Gupta, M. Frankel, D. R. Dykaar, G. A. Mourou and T. Y. Hsiang: Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 890.
3. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E. R. Weber, T. George, J. B. Kortright, F. W. Smith, B. Y. Tsaur and A. R. Calawa: Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 1881.
4. L.-W. Yin, Y. Hwang, J. H. Lee, R. M. Kolbas, R. J. Trew and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 11 (1990) 561.
5. M. Kaminska, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, R. Leon and Z. Rek: J. Vac. Sci. Technol. B 7 (1989) 710.
6. Z. Liliental-Weber, W. Swider, K. M. Yu, J. Kortright, F. W. Smith and A. R. Calawa: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 2153.
7. D. C. Look, D. C. Walters, M. O. Manasreh, J. R. Sizelove, C. E. Stutz and K. R. Evans: Phys. Rev. B 42 (1990) 3578.
8. M. O. Manasreh, D. C. Look, K. R. Evans and C. E. Stutz: Phys. Rev. B 41 (1990) 10272.
9. E. R. Weber, H. Ennen, U. Kaufmann, J. M. Schneider and T. Wosinski: J. Appl. Phys. 53 (1982) 6140.
10. H. Fujioka, E. R. Weber and A. K. Verma: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2834.
11. N. D. Jäger, A. K. Verma, P. Dreszer, N. Newman, Z. Liliental-Weber, M. Van Schilfgaarde and E. R. Weber: J. Electron. Mater. 22 (1993) 1499.
12. D. C. Look, D. C. Walters, M. Mier, C. E. Stutz and S. K. Brierlry: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 2900.
13. A. C. Warren, J. M. Woodall, J. L. Freeouf, D. Grischkowsky, D. T. Mclnturff, M. R. Melloch and N. Otsuka: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1331.
14. T.-C. Lin, H. T. Kaibe and T. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L1651.
15. G. M. Martin, A. Mitonneau and A. Mircea: Electron. Lett. 13 (1977) 191.
16. R. A. Puechner, D. A. Johnson, K. T. Shiralagi, D. S. Gerber, R. Droopad and G. N. Maracas: J. Cryst. Growth 111 (1991) 43.
17. R. A. Stall, C. E. C. Wood, P. D. Kirchner and L. F. Eastman: Electron. Lett. 16 (1980) 171.
18. U. Kaufmann, E. Klausmann, J. Schneider and H. Ch. Alt: Phys. Rev. B 43 (1991) 12106.
19. K. Xie, Z. C. Huang and C. R. Wie: J. Electron. Mater. 20 (1991) 553.
20. H. Shen, F. C. Rong, R. Lux, J. Pamulapati, M. Taysing-Lara, M. Dutta, E. H. Poindexter, L. Calderon and Y. Lu: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 1585.
21. M. R. Melloch, D. D. Nolte, N. Otsuka, C. L. Chang and J. M. Woodall: J. Vac. Sci. Technol. B 11 (1993) 795.
22. A. C. Warren, J. M. Woodall, P. D. Kirchner, X. Yin, F. Pollak, M. R. Melloch, N. Otsuka and K. Mahalingam: Phys. Rev. B 46 (1992) 4617.
23. D. J. Chadi and K. J. Chang: Phys. Rev. Lett. 60 (1988) 2187.
24. G. Vincent, D. Bois and A. Chantre: J. Appl. Phys. 53 (1982) 3643.
25. Z.-Q. Fang and D. C. Look: J. Electron. Mater. 22 (1993) 1429.
26. D. C. Look, Z.-Q. Fang, J. R. Sizelove and C. E. Stutz: Phys. Rev. Lett. 70 (1993) 465.
27. Y. N. Mohapatra and V. Kumar: J. Appl.Phys. 64 (1988) 956.
28. J. Lagowski, H. C. Gatos, C. H. Kang, M. Skowronski, K. Y. Ko and D. G. Lin: Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 892.
29. Z. Liliental-Weber, X. W. Lin, J. Washburn and W. Schaff: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2086.
30. T.-C. Lin, S. Indou and T. Okumura: to be published in Proc. 18th Int. Conf. Defects In Semiconductors, Sendai, 1995.
31. N. Atique, E. S. Harmon, J. C. P. Chang, J. M. Woodall, M. R. Melloch and N. Otsuka: J. Appl. Phys. 77 (1995) 1471.
32. D. E. Bliss, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, K. T. Chan and S. Tanigawa: J. Appl. Phys. 71 (1992) 1699.