Investigation of the interaction between silicon interstitials and dislocation loops using the wafer bonding technique

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 12, 2000, Pages 8380-8384

  Tsoukalas, D ^a   Skarlatos, D ^a   Stoemenos, J ^b  

^a INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Greece)

^b ARISTOTLE UNIVERSITY OF THESSALONIKI   (Greece)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001406963     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373550     Document Type: Article

References (14)

1. C. Bonafos, D. Mathiot, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 83, 3008 (1998).
2. L. Meng, S. Prassin, M. E. Law, and K. S. Jones, J. Appl. Phys. 73, 955 (1993).
3. S. B. Herner, V. Krishnamoorthy, K. S. Jones, T. K. Mogi, M. O. Thompson, and H. J. Gossmann, J. Appl. Phys. 81, 7175 (1997).
4. D. Skarlatos, M. Omri, A. Claverie, and D. Tsoukalas, J. Electrochem. Soc. 146, 2276 (1999).
5. D. Skarlatos, D. Tsoukalas, L. F. Giles, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 87, 1103 (2000).
6. D. Roth, R. Y. Huang, J. D. Plummer, and R. W. Dutton, Appl. Phys. Lett. 62, 2498 (1993).
7. H. Park, H. Robinson, K. S. Jones, and M. Law, Appl. Phys. Lett. 65, 436 (1994).
8. S. B. Herner, H.-J. Gossmann, F. H. Baumann, G. H. Gilmer, and D. C. Jacobson, Appl. Phys. Lett. 72, 67 (1998).
9. G. B. Bronner and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 61, 5286 (1987).
10. S. M. Hu, J. Appl. Phys. 57, 4527 (1985).
11. S. T. Dunham and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 59, 2541 (1986).
12. K. Taniguchi, Y. Shibata, and C. Hamaguchi, J. Appl. Phys. 65, 2723 (1989).
13. N. E. B. Cowern et al., Phys. Rev. Lett. 82, 4460 (1999).
14. A. Claverie, L. F. Giles, M. Omri, B. de Mauduit, G. B. Assayag, and D. Mathiot. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 147, 1 (1999).