Microstructural studies of diamond thin films grown by electron cyclotron resonance-assisted chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 10, 2000, Pages 5695-5702

  Gupta, S ^a   Katiyar, R S ^a   Gilbert, D R ^b   Singh, R K ^b   Morell, G ^a  

^a UNIVERSITY OF PUERTO RICO   (Puerto Rico)

^b University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001288870     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1318387     Document Type: Article

References (42)

1. J. E. Field, The Properties of Diamonds (Academic, London, 1979).
2. T. H. Huang, C. T. Kuo, T. S. Lin, and C. S. Chang, in Diamond and Related Materials, edited by P. K. Bachmann, A. T. Collins, and M. Seal (Elsevier, Lausanne, Switzerland, 1993), Vol. 2, p. 928.
3. H. W. Ko, S. E. Hsu, S. J. Yang, M. S. Tsai, and Y. H. Lee, in Ref. 2, Vol. 2, p. 694.
4. M. J. Ulczynski, D. K. Reinhard, M. Prytajko, and J. Amusen, in Advances in New Diamond Science and Technology, Proceedings of the Fourth International Conference on New Diamond Science and Technology, Kobe, Japan, 1994, edited by S. Kaito, N. Fujimori, O. Fukunaga, M. Kamo, K. Kobashi, and M. Yihikawa (MY, Tokyo, 1994), p. 41.
5. I. Taher, M. Aslam, M. A. Tamor, T. J. Potter, and R. E. Elder, Sens. Actuators A 45, 35 (1994).
6. M. Aslam, G. S. Yang, and A. Masood, Sens. Actuators A 45, 131 (1994).
7. M. W. Geis, N. N. Efremow, J. D. Woodhouse, M. D. Aleese, M. Marchywka, D. G. Socker, and J. F. Hochedez, IEEE Electron Device Lett. 12, 456 (1991).
8. D. Hong and M. Aslam, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 427 (1995).
9. D. L. Dreifus, A. J. Tesmer, J. S. Holmes, and L. S. Plano, in Proceedings of the Second International High Temperature Electronics Conference, VI-29. Charlotte, NC, 1994, edited by D. B. King and F. V. Thome (unpublished).
10. A. J. Tessner, L. S. Plano, and D. L. Dreifus, IEEE Electron Device Lett. 14, 66 (1993).
11. W. A. Yarbrough and R. Messier, Science 247, 688 (1990).
12. S. Matsumoto, Y. Sato, M. Kamo, and N. Setaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 21, L183 (1982).
13. M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, and N. Setaka, J. Cryst. Growth 62, 642 (1983).
14. Jes Asmussen, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 883 (1989).
15. D. R. Gilbert, M. L. Carasso, P. A. Demkowicz, R. K. Singh, and J. H. Adair, J. Electron. Mater. 26, 1326 (1997).
16. H. Kawarada, K. Mar, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 26, L1032 (1987).
17. A. J. Dubray, C. G. Pantano, M. Meloncelli, and E. Bertran, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 3012 (1991).
18. B. R. Stoner, G. H. Ma, S. D. Wolter, and J. T. Glass, Phys. Rev. B 45, 11067 (1992).
19. A. Masood, M. Aslam, M. A. Tamor, and T. J. Potter, J. Electrochem. Soc. 138, L67 (1991).
20. R. Erz, W. Dotter, K. Jung, and H. Ehrhardt, in Ref. 2, Vol. 2, p. 449.
21. Y. Hayashi, W. Drawl, R. W. Collins, and R. Messier, Appl. Phys. Lett. 60, 2868 (1992).
22. E. J. Bienk and S. S. Eskildsen, in Ref. 2, Vol. 2, p. 432.
23. J. S. Ma, H. Kawarada, T. Yonehara, J. I. Suzuki, J. Wei, Y. Yokota, and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett. 55, 1071 (1989).
24. M. P. Everson and M. A. Tamor, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1570 (1991).
25. S. Iijima, Y. Aikawa, and K. Baba, Appl. Phys. Lett. 57, 2646 (1990).
26. K. Hirabayashi, Y. Tanigichi, O. Takamatsu, T. Ikeda, K. Ikoma, and N. Iwasaki-Kurihara, Appl. Phys. Lett. 53, 1815 (1988).
27. G. S. Yang, M. Aslam, K. P. Kuo, D. K. Reinhard, and J. Asmussen, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1030 (1995).
28. H. Makita, K. Nishiwara, N. Jiang, A. Hatta, T. Ito, and A. Hiraki, Thin Solid Films 281, 279 (1996).
29. L. Bergman and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 78, 6709 (1995).
30. R. K. Singh, D. R. Gilbert, R. Tellshow, P. H. Holloway, R. Ochoa, J. H. Simmons, and R. Koba, Appl. Phys. Lett. 61, 2863 (1992); D. R. Gilbert, R. Singh, R. Clarke, and S. Murugkar, Appl. Phys. Lett. 70, 1974 (1997).
31. R. K. Singh, D. R. Gilbert, R. Tellshow, P. H. Holloway, R. Ochoa, J. H. Simmons, and R. Koba, Appl. Phys. Lett. 61, 2863 (1992); D. R. Gilbert, R. Singh, R. Clarke, and S. Murugkar, Appl. Phys. Lett. 70, 1974 (1997).
32. G. Morell, O. Quiñones, Y. Díaz, I. M. Vargas, B. R. Weiner, and R. S. Katiyar, Diamond Relat. Mater. 7, 1029 (1998).
33. R. E. Shroder, R. J. Nemanich, and J. T. Glass, Proc. SPIE 969, 79 (1988).
34. G. Morell, W. Pérez, E. Ching-Prado, and R. S. Katiyar, Phys. Rev. B 53, 5388 (1996), and references therein.
35. D. W. Marquardt, J. Soc. Ind. Appl. Math. 11, 431 (1963).
36. K. Levenberg, Appl. Phys. Lett. 65, 1641 (1994).
37. R. C. Hyer, M. Green, and S. C. Sharm, Phys. Rev. B 49, 14573 (1994).
38. B. D. Cullity, in Elements of X-ray Diffraction (Addison-Wesley, Reading, MA, 1967).
39. D. Rats, L. Bimbault, L. Vendenbulcke, R. Herbin, and K. F. Badawi, J. Appl. Phys. 78, 4994 (1995).
40. H. Windischmann and Glenn F. Epps, J. Appl. Phys. 69, 2231 (1991).
41. R. W. Hoffman, Surf. Interface Anal. 3, 62 (1981).
42. S. Nijhawan, S. M. Jankovsky, and B. W. Sheldon, J. Mater. Res. 14, 1046 (1999).