Aluminum and GaN contacts on Si(111) and sapphire

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 20, 2000, Pages 3140-3142

  Zhao, Z M ^a   Jiang, R L ^a   Chen, P ^a   Li, W P ^a   Xi, D J ^a   Xie, S Y ^a   Shen, B ^a   Zhang, R ^a   Zheng, Y D ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001273077     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1325402     Document Type: Article

References (16)

1. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
2. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
3. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
4. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y. Huang, J. Mater. Res. 11, 2257 (1996).
5. N. A. Papanicolaou, A. Edwards, M. V. Rao, J. Mittereder, and W. T. Anderson, J. Appl. Phys. 82, 380 (2000).
6. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
7. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
8. K. Shiojima, D. T. McInturff, J. M. Woodall, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, J. Electron. Mater. 28, 228 (1999).
9. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, ö. Aktas, A. E. Botchkarev, K. Suzue, H. Morkoç, K. Duxstad, and E. E. Haller, J. Electron. Mater. 25, 1073 (1996).
10. S. Miller and P. H. Holloway, J. Electron. Mater. 25, 1709 (1996).
11. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1997).
12. S. Kurtin, T. C. McGill, and C. A. Mead, Phys. Rev. Lett. 22, 1433 (1969).
13. M. Schlüter, Phys. Rev. B 17, 5044 (1969).
14. J. I. Pankove and H. E. P. Schade, Appl. Phys. Lett. 25, 53 (1974).
15. E. H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon, Oxford, 1980).
16. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).