Localization at interfaces of imperfect AlSb/InAs heterostructures

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 58, Issue 12, 1998, Pages 7834-7843

  Shaw, M ^a  

^a NEWCASTLE UNIVERSITY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001041455     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.58.7834     Document Type: Article

References (36)

1. R. J. Turton and M. Jaros, Appl. Phys. Lett. 69, 2891 (1996).
2. M. J. Shaw, P. R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev. B 54, 16781 (1996).
3. M. J. Shaw, P. R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev. B 52, 16341 (1995).
4. A. Y. Lew, S. L. Zuo, E. T. Yu, and R. H. Miles, Appl. Phys. Lett. 70, 75 (1997).
5. R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z.-Y. Ting, M. W. Wang, and T. C. McGill, Phys. Rev. Lett. 72, 2749 (1994).
6. R. G. Dandrea and C. B. Duke, Appl. Phys. Lett. 63, 1795 (1993).
7. I. Sela, C. R. Bolognesi, L. A. Samoska, and H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 60, 3283 (1992).
8. M. Gail, G. Abstreiter, J. Olajos, J. Engvall, H. Grimmeiss, H. Kibbel, and H. Presting, Appl. Phys. Lett. 66, 2978 (1995).
9. J. Engvall, J. Olajos, H. Grimmeiss, H. Kibbel, and H. Presting, Phys. Rev. B 51, 2001 (1995).
10. M. Gail, W. Jung, J. Brunner, P. Schittenhelm, J. F. Nützel, and G. Abstreiter, Solid State Phenom. 47-48, 473 (1996).
11. M. Jaros, Semicond. Semimet. 32, 175 (1990), and references within.
12. R. J. Turton and M. Jaros, Semicond. Sci. Technol. 8, 2003 (1993).
13. D. E. Jesson, S. J. Pennycook, and J.-M. Baribeau, Phys. Rev. Lett. 66, 750 (1991).
14. S. Froyen, D. M. Wood, and A. Zunger, Phys. Rev. B 37, 6893 (1988).
15. S. Satpathy, R. M. Martin, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 38, 13 237 (1988).
16. U. Schmid, N. E. Christensen, M. Alouani, and M. Cardona, Phys. Rev. B 43, 14 597 (1991).
17. D. L. Smith and C. Mailliot, J. Appl. Phys. 62, 2545 (1987).
18. R. H. Miles, D. H. Chow, J. N. Schulman, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 57, 801 (1990).
19. J. L. Johnson, L. A. Samoska, A. C. Gossard, J. L. Merz, M. D. Jack, G. R. Chapman, B. A. Baumgratz, K. Kosai, and S. M. Johnson, J. Appl. Phys. 80, 1116 (1996).
20. H. Xie, W. I. Wang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, and F. J. Bartoli, J. Appl. Phys. 74, 2810 (1993).
21. M. J. Shaw and M. Jaros, Phys. Rev. B 50, 7768 (1994).
22. G. Tuttle, H. Kroemer, and J. H. English, J. Appl. Phys. 65, 5239 (1989).
23. J. Wagner, J. Schmitz, F. Fuchs, J. D. Ralston, P. Koidl, and D. Richards, Phys. Rev. B 51, 9786 (1995).
24. B. Brar, J. Ibbetson, H. Kroemer, and J. H. English, Appl. Phys. Lett. 64, 3392 (1994).
25. J. Spitzer, A. Höpner, M. Kuball, M. Cardona, B. Jenichen, H. Neuroth, B. Brar, and H. Kroemer, J. Appl. Phys. 77, 811 (1995).
26. G. Tuttle, H. Kroemer, and J. H. English, J. Appl. Phys. 67, 3032 (1990).
27. H. Kroemer, C. Nguyen, and B. Brar, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1769 (1992).
28. S. Ideshita, A. Furukawa, Y. Mochizuki, and M. Mizuta, Appl. Phys. Lett. 60, 2549 (1992).
29. D. J. Chadi, Phys. Rev. B 47, 13 478 (1993).
30. J. Shen, H. Goronkin, J. D. Dow, and S. Y. Ren, J. Appl. Phys. 77, 1576 (1995).
31. M. J. Shaw, P. R. Briddon, and M. Jaros, Solid State Phenom. 47-48, 491 (1996).
32. M. J. Shaw, G. Gopir, P. R. Briddon, and M. Jaros, J. Vac. Sci. Technol. B (to be published).
33. G. B. Bachelet, D. R. Hamann, and M. Schlüter, Phys. Rev. B 26, 4199 (1982).
34. R. Jones, J. Phys. C 21, 5735 (1988).
35. M. Jaros, Deep Levels in Semiconductors (Adam Hilger, Bristol, U.K., 1982).
36. M. J. Shaw and M. Jaros, Semiconduct. Semimet. (to be published).