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Volumn 57, Issue 19, 1998, Pages 12421-12427

Growth mode in epitaxy by low-temperature chemical-vapor deposition

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EID: 0001004651     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.57.12421     Document Type: Article
Times cited : (23)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.