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Volumn 56, Issue 8, 1997, Pages 4878-4886

Growth process of Ge on Si(100) in atomic-layer epitaxy from

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EID: 0000666617     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.56.4878     Document Type: Article
Times cited : (30)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.