Surface composition and structure of GaN epilayers on sapphire

Journal of Chemical Physics

Volumn 107, Issue 22, 1997, Pages 9577-9584

  Ahn, J ^a   Sung, M M ^a   Rabalais, J W ^a   Koleske, D D ^b   Wickenden, A E ^b  

^a University of Houston   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000984414     PISSN: 00219606     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.475255     Document Type: Article

References (45)

1. R. F. Davis, Proc. IEEE 79, 702 (1991).
2. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
3. S. N. Mohammad, A. A. Salvador, and H. Morkoc, Proc. IEEE 83, 1306 (1995).
4. J. E. Jaffe, R. Pandey, and P. Zapol, Phys. Rev. B 53, 1 (1996).
5. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
6. H. Morkoc and S. N. Mohammad, Science 267, 51 (1995).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N, Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H, Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
8. D. K. Gaskill, A. E. Wickenden, K. Doverspike, B. Tadayon, and L. B. Rowland, J. Electron. Mater. 24, 1525 (1995).
9. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 75, 4452 (1995).
10. R. G. Wilson, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and J. M. Zavada, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 719 (1995).
11. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
12. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L2112 (1989).
13. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996).
14. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1988).
15. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995).
16. R. E. Ewing and P. E. Greene, J. Electrochem. Soc. 11, 1266 (1964).
17. V. M. Bermudez, R. Kaplan, M. A. Khan, and J. N. Kuznia, Phys. Rev. B 48, 2463 (1993).
18. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, and R. Kaplan, J. Appl. Phys. 73, 3108 (1993).
19. J. Hedman and N. Martensson, Phys. Scr. 22, 176 (1980).
20. R. Carin, J. P. Deville, and J. Werckmann, Surf. Interface Anal. 16, 65 (1990).
21. D. Troost, H.-U. Baier, A. Berger, and W. Monch, Surf. Sci. 242, 324 (1991).
22. L. A. DeLouise, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1637 (1992).
23. X.-Y. Zhu, M. Wolf, T. Huett, and J. M. White, J. Chem. Phys. 97, 5856 (1992).
24. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995); K. Iwata, H. Asahi, S. J. Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L289 (1996); M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, N. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 62, 702 (1993); H. Liu, A. C. Frenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993); S. Fujita, M. A. L. Johnson, W. H. Rowland, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. Elmasry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J Ren, and J. A. Edmond, Ext. Abstr. Int. Conf. Sol. St. Devices and Materials, Oxaka, 1995, p. 692.
25. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995); K. Iwata, H. Asahi, S. J. Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L289 (1996); M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, N. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 62, 702 (1993); H. Liu, A. C. Frenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993); S. Fujita, M. A. L. Johnson, W. H. Rowland, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. Elmasry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J Ren, and J. A. Edmond, Ext. Abstr. Int. Conf. Sol. St. Devices and Materials, Oxaka, 1995, p. 692.
26. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995); K. Iwata, H. Asahi, S. J. Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L289 (1996); M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, N. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 62, 702 (1993); H. Liu, A. C. Frenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993); S. Fujita, M. A. L. Johnson, W. H. Rowland, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. Elmasry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J Ren, and J. A. Edmond, Ext. Abstr. Int. Conf. Sol. St. Devices and Materials, Oxaka, 1995, p. 692.
27. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995); K. Iwata, H. Asahi, S. J. Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L289 (1996); M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, N. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 62, 702 (1993); H. Liu, A. C. Frenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993); S. Fujita, M. A. L. Johnson, W. H. Rowland, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. Elmasry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J Ren, and J. A. Edmond, Ext. Abstr. Int. Conf. Sol. St. Devices and Materials, Oxaka, 1995, p. 692.
28. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995); K. Iwata, H. Asahi, S. J. Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L289 (1996); M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, N. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 62, 702 (1993); H. Liu, A. C. Frenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993); S. Fujita, M. A. L. Johnson, W. H. Rowland, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. Elmasry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J Ren, and J. A. Edmond, Ext. Abstr. Int. Conf. Sol. St. Devices and Materials, Oxaka, 1995, p. 692.
29. R. B. Capaz, H. Lim, and J D. Joannopoulos, Phys. Rev. B 51, 17755 (1995).
30. M. M. Sung, J. Ahn, V. Bykov, J. W. Rabalais, D. D. Koleske, and A. E. Wickenden, Phys. Rev. B 54, 14652 (1996).
31. F. A. Ponce, D. P Bour, W. T. Young, M. Saunders, and J. W. Steeds, Appl. Phys. Lett. 69, 337 (1996).
32. J. W. Rabalais, Science 250, 521 (1990).
33. O. Grizzi, M. Shi, H. Bu, and J. W. Rabalais, Rev. Sci. Instrum. 61, 740 (1990)
34. M. M. Sung, V. Bykov, A. Al-Bayati, C. Kim, S. S. Todorov, and J. W. Rabalais, Scanning Microsc. 9, 321 (1995).
35. E. S. Parilis, L. M. Kishinevsky, N. Yu. Turaev, B. E. Baklitzky, F. F Umarov, V Kh Verleger, S. L. Nizhnaya, and I. S. Bitensky, Atomic Collisions on Solid Surfaces (North-Holland, New York, 1993).
36. J. F. Zeigler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Solids, edited by J. F. Ziegler (Pergamon, New York, 1985).
37. V. Bykov, C. Kim, M. M. Sung, K. J. Boyd, S. S. Todorov, and J W Rabalais, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 114, 371 (1996).
38. L. B. Rowland, K. Doverspike, A. Giordana, M. Fatemi, D. K. Gaskill, M. Skowronski, and J. A. Freitas, Jr. Silicon Carbide and Related Materials, edited by M. G. Spencer, R. P. Devaty, J. A. Edmond, M. A. Khan, R. Kaplan, and M. Rahman (Bristol: Inst. Phys., 1994), p. 429.
39. A. E. Wickenden, L. B. Rowland, K. Doverspike, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, Jr., D. S. Simons, and P. H. Chi, J. Electron. Mater. 24, 1547 (1995).
40. J. W. Rabalais, CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 14, 319 (1988).
41. M. M. Sung, C. Kim, and J. W. Rabalais, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 118, 522 (1995).
42. O. Grizzi, M. Shi, H. Bu, and J. W. Rabalais, Phys. Rev. B 40, 10127 (1989).
43. M. M. Sung, C. Kim, H. Bu, D. S. Karpuzov, and J. W. Rabalais, Surf. Sci. 322, 116 (1995).
44. For a recent review see C. B. Duke, Scanning Microsc. 8, 753 (1994).
45. M. D. Pashley, Phys. Rev. B 40, 10481 (1989).