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Volumn 184-185, Issue , 1998, Pages 450-454

Epitaxial growth of n- and p-type ZnCdSe on InP

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GaInAs buffer layer; Molecular beam epitaxy; n type doping; p type doping; ZnCdSe

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EID: 0000932397 PISSN: 00220248 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1016/s0022-0248(98)80094-8 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.