Critical layer thickness determination of GaN/InGaN/GaN double heterostructures

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 25, 2000, Pages 4121-4123

  Reed, M J ^a   El Masry, N A ^a   Parker, C A ^a   Roberts, J C ^a   Bedair, S M ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000810873     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1334361     Document Type: Article

References (10)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. C. A. Parker, J. C. Bedair, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 75, 2776 (1999).
4. J. P. Reithmaier, H. Cerva, and R. Losch, Appl. Phys. Lett. 54, 48 (1989).
5. P. J. Order and B. F. Usher, Appl. Phys. Lett. 50, 980 (1987).
6. P. L. Grurley, I. J. Fritz, and L. R. Dawson, Appl. Phys. Lett. 52, 377 (1988).
7. S. Nakamura, Microelectron. J. 25, 651 (1994).
8. E. L. Piner, M. K. Behbahani, N. A. El-Masry, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Butros, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 70, 461 (1996).
9. S. F. LeBoeuf, M. E. Aumer, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 77, 97 (2000).
10. C. A. Parker, M. J. Reed, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2566 (1999).