Role of arsenic clusters in carrier recombination in low-temperature grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 12, 1998, Pages 1463-1465

  Feng, W ^a   Wang, Y ^a   Wang, J ^a   Ge, W K ^a   Huang, Q ^b   Zhou, J M ^b  

^a HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000692363     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120593     Document Type: Article

References (22)

1. F. W. Smith, A. R. Calawa, C. L. Chen, M. J. Manfra, and L. J. Mahoney, IEEE Electron Device Lett. EDL-9, 77 (1988).
2. M. R. Melloch, D. D. Nolte, J. M. Woodall, J. C. P. Chang, D. B. Janes, and E. S. Harmon, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 21, 189 (1996).
3. D. C. Look, Thin Solid Films 231, 61 (1993).
4. M. Kaminska, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, R. Leon, and Z. U. Rek, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 710 (1989).
5. K. M. Yu, M. Kaminska, and Z. Liliental-Weber, J. Appl. Phys. 72, 2850 (1992).
6. K. Mahalingam, N. Otsuka, M. R. Melloch, J. M. Woodall, and A. C. Warren, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2328 (1991).
7. J. P. Ibbetson, J. S. Speck, A. C. Gossard, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 62, 169 (1993).
8. Z. Liliental-Weber, H. J. Cheng, S. Gupta, J. Whitaker, K. Nichols, and F. W. Smith, J. Electron. Mater. 22, 1465 (1993).
9. A. C. Warren, J. M. Woodall, J. L. Freeouf, D. Grischkowsky, D. T. McInturff, M. R. Melloch, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 57, 1331 (1990).
10. S. Gupta, M. Y. Frankel, J. A. Valdmanis, J. F. Whitaker, F. W. Smith, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 59, 3276 (1991).
11. K. A. McIntosh, K. B. Nichols, S. Verghese, and E. R. Brown, Appl. Phys. Lett. 70, 354 (1997).
12. A. J. Lochtefeld, M. R. Melloch, J. C. P. Chang, and E. R. Harmon, Appl. Phys. Lett. 69, 1465 (1996).
13. M. O. Manasreh, D. C. Look, K. R. Evans, and C. E. Stutz, Phys. Rev. B 41, 10272 (1190).
14. D. C. Look, G. D. Robinson, J. R. Sizelove, and C. E. Stutz, Appl. Phys. Lett. 62, 3004 (1993).
15. I. Lahiri, D. D. Nolte, E. S. Harmon, M. R. Melloch, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 66, 2519 (1995).
16. W. Feng, Z. G. Zhang, Y. Yu, Q. Huang, P. M. Fu, and J. M. Zhou, J. Appl. Phys. 79, 7404 (1996).
17. I. Lahiri, M. Aguilar, D. D. Nolte, and M. R. Melloch, Appl. Phys. Lett. 68, 517 (1996).
18. W. H. Knox, J. E. Henry, K. W. Goosen, D. K. Li, B. Tell, D. A. B. Miller, D. S. Chemla, A. C. Gossard, J. English, and S. Schmitt-Rink, IEEE J. Quantum Electron. 25, 2586 (1989).
19. T. K. Woodward, W. H. Knox, B. Tell, A. Vinattieri, and M. T. Asom, IEEE J. Quantum Electron. 30, 2854 (1994).
20. N. Hozhabri, S.-H. Lee, and K. Alavi, Appl. Phys. Lett. 66, 2546 (1995).
21. X. Liu, A. Prasad, W. M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 65, 3002 (1994).
22. W. Feng, Y. Yu, H. Chen, Q. Huang, and J. M. Zhou, Appl. Phys. Lett. 68, 812 (1996).