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Volumn 83, Issue 7, 1998, Pages 3800-3806

Structural properties of GaN layers on Si(001) grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

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EID: 0000605405     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.367144     Document Type: Article
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References (18)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.