Unipolar complementary circuits using double electron layer tunneling transistors

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 2, 1999, Pages 314-316

  Moon, J S ^a   Simmons, J A ^a   Blount, M A ^a   Reno, J L ^a   Hafich, M J ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000406588     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123009     Document Type: Article

References (15)

1. P. Mazumder, A. Kulkarni, M. Bhattacharya, J. P. Sun, and G. I. Haddad, Proc. IEEE 86, 664 (1998); and references therein.
2. F. Capasso, K. Mohammed, and A. Y. Cho, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1853 (1986).
3. S. Luryi and F. Capasso, Appl. Phys. Lett. 47, 1347 (1985).
4. As for references, see S. Luryi and A. Zaslavsky in Modern Semiconductor Device Physics, edited by S. M. Sze (Wiley-Interscience, New York, 1998), pp. 253-341.
5. A. R. Bennofoi, D. H. Chow, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 47, 888 (1985); F. Beltram, F. Capasso, S. Luryi, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, ibid. 53, 219 (1988);
6. A. R. Bennofoi, D. H. Chow, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 47, 888 (1985); F. Beltram, F. Capasso, S. Luryi, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, ibid. 53, 219 (1988);
7. Ç. Kurdak, D. C. Tsui, S. Parihar, M. B. Santos, H. Manoharan, S. A. Lyon, and M. Shayegan, Appl. Phys. Lett. 64, 610 (1994); A. Zaslavsky, D. C. Tsui, M. Santos, and M. Shayegan, ibid. 58, 1440 (1991).
8. Ç. Kurdak, D. C. Tsui, S. Parihar, M. B. Santos, H. Manoharan, S. A. Lyon, and M. Shayegan, Appl. Phys. Lett. 64, 610 (1994); A. Zaslavsky, D. C. Tsui, M. Santos, and M. Shayegan, ibid. 58, 1440 (1991).
9. J. Smoliner, W. Demmerle, G. Berthold, E. Gornik, G. Weimann, and W. Schlapp, Phys. Rev. Lett. 63, 2116 (1989).
10. J. P. Eisenstein, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 57, 2324 (1990).
11. J. A. Simmons, M. A. Blount, J. S. Moon, S. K. Lyo, W. E. Baca, J. R. Wendt, J. L. Reno, and M. J. Hafich, J. Appl. Phys. 84, 5626 (1998); J. S. Moon, J. A. Simmons, M. A. Blount, W. E. Baca, J. L. Reno, and M. J. Hafich, Electron. Lett. 34, 921 (1998).
12. J. A. Simmons, M. A. Blount, J. S. Moon, S. K. Lyo, W. E. Baca, J. R. Wendt, J. L. Reno, and M. J. Hafich, J. Appl. Phys. 84, 5626 (1998); J. S. Moon, J. A. Simmons, M. A. Blount, W. E. Baca, J. L. Reno, and M. J. Hafich, Electron. Lett. 34, 921 (1998).
13. S. Luryi, Appl. Phys. Lett. 52, 501 (1988).
14. 2) carrier density, is negligible in the current DELTT device.
15. Q,B→∝.