Thickness-dependent electron accumulation in InAs thin films on A scanning-tunneling-spectroscopy study

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 58, Issue 8, 1998, Pages R4219-R4222

  Yamaguchi, H ^a   Sudijono, J ^b   Joyce, B ^b  

^a Kashino Diverse Brain Research Laboratory of NTT Communication Science Laboratories   (Japan)

^b IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000080384     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.58.R4219     Document Type: Article

References (29)

1. M. Yano, M. Nogami, Y. Matsushima, and M. Kimata, Jpn. J. Appl. Phys. 16, 2131 (1977).
2. B. T. Meggit, E. H. C. Parker, and R. M. King, Appl. Phys. Lett. 33, 528 (1978).
3. X. M. Zhang, D. W. Pashley, J. H. Neave, J. Zhang, and B. A. Joyce, J. Cryst. Growth 121, 81 (1992).
4. J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997).
5. H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996).
6. H. Yamaguchi, J. G. Belk, X. M. Zhang, J. L. Sudijono, M. R. Fahy, T. S. Jones, D. W. Pashley, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 55, 1337 (1997).
7. H. Yamaguchi and Y. Hirayama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1599 (1998).
8. C. A. Mead and W. G. Spitzer, Phys. Rev. A 134, 713 (1994).
9. J. N. Walpole and K. W. Nill, J. Appl. Phys. 42, 5609 (1971).
10. P. D. Wang, S. N. Holmes, T. Le, R. A. Stradling, I. T. Ferguson, and A. G. de Oliveira, Semicond. Sci. Technol. 7, 767 (1992), and references therein.
11. V. Heine, Phys. Rev. A 138, 1689 (1965).
12. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984).
13. J. TersoffPhys. Rev. B 32, 6968 (1985).
14. R. M. Feenstra and J. A. Stroscio, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 923 (1987).
15. R. M. Feenstra, Phys. Rev. B 50, 4561 (1994).
16. O. Albrektsen, D. J. Arent, H. P. Meier, and H. W. M. Salemink, Appl. Phys. Lett. 57, 31 (1990).
17. R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z.-Y. Ting, M. W. Wang, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2592 (1994).
18. G. Lengel, R. Wilkins, G. Brown, M. Weimer, J. Gryko, and R. E. Allen, Phys. Rev. Lett. 72, 836 (1994).
19. R. M. Feenstra, J. M. Woodall, and G. D. Pettit, Phys. Rev. Lett. 71, 1176 (1993).
20. V. Bressler-Hill, M. Wassermeier, K. Pond, R. Maboudian, G. A. D. Briggs, P. M. Petroff, and W. H. Weinberg, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1881 (1992).
21. M. C. Gallagher, R. H. Prince, and R. F. Willis, Surf. Sci. 275, 31 (1992).
22. M. D. Pashley, K. W. Haberern, and R. M. Feenstra, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1874 (1992).
23. H.-U. Baier, L. Koenders, and W. Monch, Solid State Commun. 58, 327 (1986).
24. Y. Chen, J. C. Hermanson, and G. J. Lapeyre, Phys. Rev. B 39, 12 682 (1989).
25. H. Yamaguchi, J. G. Belk, J. L. Sudijono, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. (to be published).
26. J. G. Belk, J. L. Sudijono, D. M. Holmes, C. F. McConville, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 365, 735 (1996).
27. L. O. Olsson, C. B. M. Andersson, M. C. Hakansson, J. Kanski, L. Ilver, and U. O. Karlsson, Phys. Rev. Lett. 76, 3626 (1996).
28. T. A. Malk, S. J. Chung, R. A. Stradling, and W. T. Yuen, in Proceedings of the 7th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Santa Fe, 1995, edited by J. L. Leno, IOP Conf. Proc. No. 144 (Institute of Physics and Physical Society, London, 1996), p. 229.
29. An-zhen Zhang, J. Slinkman, and R. E. Doezema, Phys. Rev. B 44, 10 752 (1991).