Intrinsic and quantitative effects of in-plane strain on ferroelectric properties of Mn-doped BiFeO3 epitaxial films by in situ inducing strain in substrates

Applied Physics Letters

Volumn 104, Issue 5, 2014, Pages

  Yang, M M ^a   Zhao, X Q ^a   Wang, J ^b   Zhu, Q X ^a   Zhang, J X ^b   Li, X M ^a   Luo, H S ^a   Li, X G ^c   Zheng, R K ^a  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS   (China)

^b BEIJING NORMAL UNIVERSITY   (China)

^c UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH COMPOUNDS; EPITAXIAL FILMS; FERROELECTRIC FILMS; FERROELECTRICITY; IRON COMPOUNDS; LANTHANUM COMPOUNDS; LEAD TITANATE; MAGNESIUM COMPOUNDS; MANGANESE COMPOUNDS; NIOBIUM COMPOUNDS; STRONTIUM COMPOUNDS;

COERCIVE FIELD; EPITAXIALLY GROWN; FERROELASTICS; FERROELECTRIC PROPERTY; IN-PLANE STRAINS; INDUCED STRAIN; QUANTITATIVE EFFECTS; STRAIN DEPENDENCE;

STRAIN;

EID: 84899888403     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4863825     Document Type: Article

References (28)

1. L. W. Martin and R. Ramesh, Acta Mater. 60, 2449 (2012). 10.1016/j.actamat.2011.12.024
2. J. X. Zhang, Q. He, M. Trassin, W. Luo, D. Yi, M. D. Rossell, P. Yu, L. You, C. H. Wang, C. Y. Kuo, J. T. Heron, Z. Hu, R. J. Zeches, H. J. Lin, A. Tanaka, C. T. Chen, L. H. Tjeng, Y.-H. Chu, and R. Ramesh, Phys. Rev. Lett. 107, 147602 (2011). 10.1103/PhysRevLett.107.147602
3. D. H. Kim, H. N. Lee, M. D. Biegalski, and H. M. Christen, Appl. Phys. Lett. 92, 012911 (2008). 10.1063/1.2830799
4. R. J. Zeches, M. D. Rossell, J. X. Zhang, A. J. Hatt, Q. He, C.-H. Yang, A. Kumar, C. H. Wang, A. Melville, C. Adamo, G. Sheng, Y.-H. Chu, J. F. Ihlefeld, R. Erni, C. Ederer, V. Gopalan, L. Q. Chen, D. G. Schlom, N. A. Spaldin, L. W. Martin, and R. Ramesh, Science 326, 977 (2009). 10.1126/science.1177046
5. I. C. Infante, S. Lisenkov, B. Dupé, M. Bibes, S. Fusil, E. Jacquet, G. Geneste, S. Petit, A. Courtial, J. Juraszek, L. Bellaiche, A. Barthélémy, and B. Dkhil, Phys. Rev. Lett. 105, 057601 (2010). 10.1103/PhysRevLett.105.057601
6. C. W. Huang, Y. H. Chu, Z. H. Chen, J. L. Wang, T. Sritharan, Q. He, R. Ramesh, and L. Chen, Appl. Phys. Lett. 97, 152901 (2010). 10.1063/1.3499658
7. H. M. Christen, J. H. Nam, H. S. Kim, A. J. Hatt, and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 83, 144107 (2011). 10.1103/PhysRevB.83.144107
8. A. R. Damodaran, S. Lee, J. Karthik, S. MacLaren, and L. W. Martin, Phys. Rev. B 85, 024113 (2012). 10.1103/PhysRevB.85.024113
9. Z. H. Chen, L. You, C. W. Huang, Y. J. Qi, J. L. Wang, T. Sritharan, and L. Chen, Appl. Phys. Lett. 96, 252903 (2010). 10.1063/1.3456729
10. Y.-H. Chu, Q. He, C.-H. Yang, P. Yu, L. W. Martin, P. Shafer, and R. Ramesh, Nano Lett. 9, 1726 (2009). 10.1021/nl900723j
11. E. J. Guo, K. Dorr, and A. Herklotz, Appl. Phys. Lett. 101, 242908 (2012). 10.1063/1.4772006
12. P. Chen, N. J. Podraza, X. S. Xu, A. Melville, E. Vlahos, V. Gopalan, R. Ramesh, D. G. Schlom, and J. L. Musfeldt, Appl. Phys. Lett. 96, 131907 (2010). 10.1063/1.3364133
13. H. W. Jang, S. H. Baek, D. Ortiz, C. M. Folkman, R. R. Das, Y. H. Chu, P. Shafer, J. X. Zhang, S. Choudhury, V. Vaithyanathan, Y. B. Chen, D. A. Felker, M. D. Biegalski, M. S. Rzchowski, X. Q. Pan, D. G. Schlom, L. Q. Chen, R. Ramesh, and C. B. Eom, Phys. Rev. Lett. 101, 107602 (2008). 10.1103/PhysRevLett. 101.107602
14. M. P. Cruz, Y. H. Chu, J. X. Zhang, P. L. Yang, F. Zavaliche, Q. He, P. Shafer, L. Q. Chen, and R. Ramesh, Phys. Rev. Lett. 99, 217601 (2007). 10.1103/PhysRevLett.99.217601
15. P. Maksymovych, M. Huijben, M. H. Pan, S. Jesse, N. Balke, Y.-H. Chu, H. J. Chang, A. Y. Borisevich, A. P. Baddorf, G. Rijnders, D. H. A. Blank, R. Ramesh, and S. V. Kalinin, Phys. Rev. B 85, 014119 (2012). 10.1103/PhysRevB.85. 014119
16. A. Pramanick, A. D. Prewitt, J. S. Forrester, and J. L. Jones, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 37, 243 (2012). 10.1080/10408436.2012.686891
17. L. You, N. T. Chua, K. Yao, L. Chen, and J. L. Wang, Phys. Rev. B 80, 024105 (2009). 10.1103/PhysRevB.80.024105
18. M. D. Biegalski, D. H. Kim, S. Choudhury, L. Q. Chen, H. M. Christen, and K. Dörr, Appl. Phys. Lett. 98, 142902 (2011). 10.1063/1.3569137
19. R. K. Zheng, Y. Wang, H. L. W. Chan, C. L. Choy, and H. S. Luo, Appl. Phys. Lett. 92, 082908 (2008). 10.1063/1.2870100
20. M. Liu, J. Hoffman, J. Wang, J. X. Zhang, B. Nelson-Cheeseman, and A. Bhattacharya, Sci. Rep. 3, 1876 (2013) 10.1038/srep01876.
21. M. Zheng, X. Y. Li, M. M. Yang, Q. X. Zhu, Y. Wang, X. M. Li, X. Shi, H. L. W. Chan, X. G. Li, H. S. Luo, and R. K. Zheng, Appl. Phys. Lett. 103, 263507 (2013). 10.1063/1.4860415
22. X. Q. Zhao, W. Wang, C. Zheng, Q. X. Zhu, X. M. Li, and R. K. Zheng, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 24, 1677 (2013). 10.1007/s10854-012-0995-z
23. See supplementary material at http://dx.doi.org/10.1063/1.4863825 E-APPLAB-104-063405 for Figs. S1 and S2.
24. M. D. Biegalski, K. Dörr, D. H. Kim, and H. M. Christen, Appl. Phys. Lett. 96, 151905 (2010). 10.1063/1.3374323
25. C. Ederer and N. Spaldin, Phys. Rev. Lett. 95, 257601 (2005). 10.1103/PhysRevLett.95.257601
26. E. J. Guo, A. Herklotz, R. Roth, M. Christl, S. Das, W. Widdra, and K. Dörr, Appl. Phys. Lett. 103, 022905 (2013). 10.1063/1.4813419
27. T. Wu, A. Bur, P. Zhao, K. P. Mohanchandra, K. Wong, K. L. Wang, C. S. Lynch, and G. P. Carman, Appl. Phys. Lett. 98, 012504 (2011). 10.1063/1.3534788
28. H. N. Lee, S. M. Nakhmanson, M. F. Chisholm, H. M. Christen, K. M. Rabe, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. Lett. 98, 217602 (2007). 10.1103/PhysRevLett.98. 217602