Effect of gate electrode work-function on source charge injection in electrolyte-gated organic field-effect transistors

Advanced Functional Materials

Volumn 24, Issue 5, 2014, Pages 695-700

  Fabiano, Simone ^a   Braun, Slawomir ^a   Fahlman, Mats ^a   Crispin, Xavier ^a   Berggren, Magnus ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

charge injection; contact resistance; electrolytes; transistors; work function

Indexed keywords

EID: 84895064754     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201302070     Document Type: Article

References (30)

1. H. Klauk, Chem. Soc. Rev. 2010, 39, 2643.
2. a) A. C. Arias, J. D. MacKenzie, I. McCulloch, J. Rivnay, A. Salleo, Chem. Rev. 2010, 110, 3
3. b) T. Sekitani, T. Someya, Adv. Mater. 2010, 22, 2228.
4. a) D. Natali, M. Caironi, Adv. Mater. 2012, 24, 1357
5. b) S. Fabiano, H. Wang, C. Piliego, C. Jaye, D. A. Fischer, Z. H. Chen, B. Pignataro, A. Facchetti, Y. L. Loo, M. A. Loi, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 4479.
6. a) Y. L. Shen, A. R. Hosseini, M. H. Wong, G. G. Malliaras, ChemPhysChem 2004, 5, 16
7. b) J. H. Li, J. S. Huang, Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 3.
8. a) H. Ishii, K. Sugiyama, E. Ito, K. Seki, Adv. Mater. 1999, 11, 605
9. b) S. Duhm, G. Heimel, I. Salzmann, H. Glowatzki, R. L. Johnson, A. Vollmer, J. P. Rabe, N. Koch, Nature Mater. 2008, 7, 326
10. c) S. Fabiano, H. Yoshida, Z. Chen, A. Facchetti, M. A. Loi, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 4417.
11. a) D. B. A. Rep, A. F. Morpurgo, T. M. Klapwijk, Org. Electron. 2003, 4, 201
12. b) Y. Zhang, P. W. M. Blom, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 083303.
13. B. H. Hamadani, H. Ding, Y. Gao, D. Natelson, Phys. Rev. B 2005, 72, 235302.
14. N. Koch, S. Duhm, J. P. Rabe, A. Vollmer, R. L. Johnson, Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 237601.
15. B. H. Hamadani, D. A. Corley, J. W. Ciszek, J. M. Tour, D. Natelson, Nano Lett. 2006, 6, 1303.
16. X. Cheng, Y.-Y. Noh, J. Wang, M. Tello, J. Frisch, R.-P. Blum, A. Vollmer, J. P. Rabe, N. Koch, H. Sirringhaus, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2407.
17. L. Herlogsson, X. Crispin, N. D. Robinson, M. Sandberg, O. J. Hagel, G. Gustafsson, M. Berggren, Adv. Mater. 2007, 19, 97.
18. L. Herlogsson, Y. Y. Noh, N. Zhao, X. Crispin, H. Sirringhaus, M. Berggren, Adv. Mater. 2008, 20, 4708.
19. L. Kergoat, L. Herlogsson, B. Piro, P. Minh Chau, G. Horowitz, X. Crispin, M. Berggren, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2012, 109, 8394.
20. K. Asadi, T. G. de Boer, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 3173.
21. B. H. Hamadani, D. Natelson, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 443.
22. T. J. Richards, H. Sirringhaus, J. Appl. Phys. 2007, 102, 094510.
23. J. J. Brondijk, F. Torricelli, E. C. P. Smits, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Org. Electron. 2012, 13, 1526.
24. D. Braga, M. J. Ha, W. Xie, C. D. Frisbie, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 193311.
25. J. C. de Mello, N. Tessler, S. C. Graham, R. H. Friend, Phys. Rev. B 1998, 57, 12951.
26. W. Osikowicz, M. P. de Jong, S. Braun, C. Tengstedt, M. Fahlman, W. R. Salaneck, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 193504.
27. a) S. Braun, W. R. Salaneck, M. Fahlman, Adv. Mater. 2009, 21, 1450
28. b) S. Braun, X. Liu, W. R. Salaneck, M. Fahlman, Org. Electron. 2010, 11, 212
29. c) G. Brocks, D. Cakir, M. Bokdam, M. P. de Jong, M. Fahlman, Org. Electron. 2012, 13, 1793.
30. G. Lu, J. Blakesley, S. Himmelberger, P. Pingel, J. Frisch, I. Lieberwirth, I. Salzmann, M. Oehzelt, R. Di Pietro, A. Salleo, N. Koch, D. Neher, Nat. Commun. 2013, 4, 1588.