Preparation of weavable, all-carbon fibers for non-volatile memory devices

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 52, Issue 50, 2013, Pages 13351-13355

  Sun, Gengzhi ^a   Liu, Juqing ^b   Zheng, Lianxi ^a   Huang, Wei ^c   Zhang, Hua ^b  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^c NANJING TECH UNIVERSITY   (China)

Author keywords

carbon nanotubes; electronics; fiber; graphene oxide; memory devices

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; BOTTOM ELECTRODES; GRAPHENE OXIDES; MEMORY CELL; NONVOLATILE MEMORY DEVICES; THIN LAYERS;

CARBON NANOTUBES; DATA STORAGE EQUIPMENT; ELECTRONIC EQUIPMENT; GRAPHENE; MULTIWALLED CARBON NANOTUBES (MWCN);

FIBERS;

EID: 84889656346     PISSN: 14337851     EISSN: 15213773     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.201306770     Document Type: Article

References (44)

1. S. Möller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, S. R. Forrest, Nature 2003, 426, 166-169.
2. Q. D. Ling, D. J. Liaw, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, E. T. Kang, K. G. Neoh, Prog. Polym. Sci. 2008, 33, 917-978.
3. J. Q. Liu, Z. Y. Yin, X. H. Cao, F. Zhao, L. H. Wang, W. Huang, H. Zhang, Adv. Mater. 2013, 25, 233-238.
4. J. Q. Liu, Z. Q. Lin, T. J. Liu, Z. Y. Yin, X. Z. Zhou, S. F. Chen, L. H. Xie, F. Boey, H. Zhang, W. Huang, Small 2010, 6, 1536-1542.
5. M. A. Khan, U. S. Bhansali, D. Cha, H. N. Alshareef, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 2145-2152.
6. Y. S. Chen, Y. F. Xu, K. Zhao, X. J. Wan, J. C. Deng, W. B. Yan, Nano Res. 2010, 3, 714-721.
7. L. Huang, Y. Huang, J. J. Liang, X. J. Wan, Y. S. Chen, Nano Res. 2011, 4, 675-684.
8. J. J. Liang, Y. S. Chen, Y. F. Xu, Z. B. Liu, L. Zhang, X. Zhao, X. L. Zhang, J. G. Tian, Y. Huang, Y. F. Ma, F. F. Li, ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 3310-3317.
9. T. Chen, S. T. Wang, Z. B. Yang, Q. Y. Feng, X. M. Sun, L. Li, Z. S. Wang, H. S. Peng, Angew. Chem. 2011, 123, 1855-1859
10. Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 1815-1819.
11. M. Zhang, S. L. Fang, A. A. Zakhidov, S. B. Lee, A. E. Aliev, C. D. Williams, K. R. Atkinson, R. H. Baughman, Science 2005, 309, 1215-1219.
12. X. M. Sun, T. Chen, Z. B. Yang, H. S. Peng, Acc. Chem. Res. 2013, 46, 539-549.
13. E. Westerweele, P. Smith, A. J. Heeger, Adv. Mater. 1995, 7, 788-790.
14. M. Hamedi, R. Forchheimer, O. Inganas, Nat. Mater. 2007, 6, 357-362.
15. M. Hamedi, L. Herlogsson, X. Crispin, R. Marcilla, M. Berggren, O. Inganas, Adv. Mater. 2009, 21, 573-577.
16. G. Z. Sun, L. X. Zheng, J. Y. Zhou, Y. N. Zhang, Z. Y. Zhan, J. H. L. Pang, Int. J. Plasticity 2013, 40, 56-64.
17. Y. N. Zhang, L. X. Zheng, G. Z. Sun, Z. Y. Zhan, K. Liao, Carbon 2012, 50, 2887-2893.
18. L. X. Zheng, G. Z. Sun, Z. Y. Zhan, Small 2010, 6, 132-137.
19. H. S. Peng, X. M. Sun, F. J. Cai, X. L. Chen, Y. C. Zhu, G. P. Liao, D. Y. Chen, Q. W. Li, Y. F. Lu, Y. T. Zhu, Q. X. Jia, Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 738-741.
20. G. Z. Sun, J. Y. Zhou, F. Yu, Y. N. Zhang, J. H. L. Pang, L. X. Zheng, J. Solid State Electrochem. 2012, 16, 1775-1780.
21. T. Chen, L. B. Qiu, Z. B. Yang, Z. B. Cai, J. Ren, H. P. Li, H. J. Lin, X. M. Sun, H. S. Peng, Angew. Chem. 2012, 124, 12143-12146
22. Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 11977-11980.
23. K. L. Jiang, J. P. Wang, Q. Q. Li, L. A. Liu, C. H. Liu, S. S. Fan, Adv. Mater. 2011, 23, 1154-1161.
24. J. Ren, L. Li, C. Chen, X. L. Chen, Z. B. Cai, L. B. Qiu, Y. G. Wang, X. R. Zhu, H. S. Peng, Adv. Mater. 2013, 25, 1155-1159.
25. X. F. Zhang, Q. W. Li, T. G. Holesinger, P. N. Arendt, J. Y. Huang, P. D. Kirven, T. G. Clapp, R. F. DePaula, X. Z. Liao, Y. H. Zhao, L. X. Zheng, D. E. Peterson, Y. T. Zhu, Adv. Mater. 2007, 19, 4198-4201.
26. Q. W. Li, Y. Li, X. F. Zhang, S. B. Chikkannanavar, Y. H. Zhao, A. M. Dangelewicz, L. X. Zheng, S. K. Doorn, Q. X. Jia, D. E. Peterson, P. N. Arendt, Y. T. Zhu, Adv. Mater. 2007, 19, 3358-3363.
27. M. Zhang, K. R. Atkinson, R. H. Baughman, Science 2004, 306, 1358-1361.
28. M. D. Lima, S. L. Fang, X. Lepro, C. Lewis, R. Ovalle-Robles, J. Carretero-Gonzalez, E. Castillo-Martinez, M. E. Kozlov, J. Y. Oh, N. Rawat, C. S. Haines, M. H. Haque, V. Aare, S. Stoughton, A. A. Zakhidov, R. H. Baughman, Science 2011, 331, 51-55.
29. S. M. Sze, Physics of semiconductor devices, Wiley, New York, 1981.
30. G. Z. Sun, Y. X. Huang, L. X. Zheng, Z. Y. Zhan, Y. N. Zhang, J. H. L. Pang, T. Wu, P. Chen, Nanoscale 2011, 3, 4854-4858.
31. Y. Q. Li, T. Y. Yang, T. Yu, L. X. Zheng, K. Liao, J. Mater. Chem. 2011, 21, 10844-10851.
32. Y. W. Zhu, M. D. Stoller, W. W. Cai, A. Velamakanni, R. D. Piner, D. Chen, R. S. Ruoff, ACS Nano 2010, 4, 1227-1233.
33. H. Y. Jeong, J. Y. Kim, J. W. Kim, J. O. Hwang, J. E. Kim, J. Y. Lee, T. H. Yoon, B. J. Cho, S. O. Kim, R. S. Ruoff, S. Y. Choi, Nano Lett. 2010, 10, 4381-4386.
34. F. Zhuge, B. L. Hu, C. L. He, X. F. Zhou, Z. P. Liu, R. W. Li, Carbon 2011, 49, 3796-3802.
35. L. H. Wang, W. Yang, Q. Q. Sun, P. Zhou, H. L. Lu, S. J. Ding, D. W. Zhang, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 063509.
36. A. Sleiman, M. F. Mabrook, R. R. Nejm, A. Ayesh, A. AlGhaferi, M. C. Petty, D. A. Zeze, J. Appl. Phys. 2012, 112, 024509.
37. D. Joung, A. Chunder, L. Zhai, S. I. Khondaker, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 093105.
38. A. Bagri, C. Mattevi, M. Acik, Y. J. Chabal, M. Chhowalla, V. B. Shenoy, Nat. Chem. 2010, 2, 581-587.
39. H. T. Lin, Z. Pei, Y. J. Chan, IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 569-571.
40. F. Zhao, J. Q. Liu, X. Huang, X. Zou, G. Lu, P. J. Sun, S. X. Wu, W. Ai, M. D. Yi, X. Y. Qi, L. H. Xie, J. L. Wang, H. Zhang, W. Huang, ACS Nano 2012, 6, 3027-3033.
41. G. Z. Sun, L. X. Zheng, J. An, Y. Z. Pan, J. Y. Zhou, Z. Y. Zhan, J. H. L. Pang, C. K. Chua, K. F. Leong, L. Li, Nanoscale 2013, 5, 2870-2874.
42. G. Z. Sun, Y. N. Zhang, L. X. Zheng, J. Nanomater. 2012, 2012, 506209.
43. G. Z. Sun, Y. Z. Pan, Z. Y. Zhan, L. X. Zheng, J. Y. Lu, J. H. L. Pang, L. Li, W. M. Huang, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 23741-23744.
44. J. Q. Liu, Z. Y. Yin, X. H. Cao, F. Zhao, A. P. Lin, L. H. Xie, Q. L. Fan, F. Boey, H. Zhang, W. Huang, ACS Nano 2010, 4, 3987-3992.