Low pressure chemical vapor deposition synthesis of hexagonal boron nitride on polycrystalline metal foils

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 250, Issue 12, 2013, Pages 2727-2731

  Gibb, Ashley ^a,b   Alem, Nasim ^a,b   Zettl, Alex ^a,b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

Chemical vapor deposition; H BN; Hexagonal boron nitride

Indexed keywords

BORON NITRIDE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GRAPHENE; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; III-V SEMICONDUCTORS; LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NITRIDES; POLYMER FILMS;

CATALYTIC SUBSTRATES; CHARACTERIZATION OF THE FILMS; ELECTRONIC DEVICE; H-BN; HEXAGONAL BORON NITRIDE; HEXAGONAL BORON NITRIDE (H-BN); METALLIC SUBSTRATE; POLYCRYSTALLINE METALS;

SUBSTRATES;

EID: 84889102030     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.201300088     Document Type: Article

References (37)

1. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nature Mater. 6, 183 (2007).
2. C. N. R. Rao, A. K. Sood, K. S. Subrahmanyam, and A. Govindaraj, Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 48, 7752 (2009).
3. D. Golberg, Y. Bando, Y. Huang, T. Terao, M. Mitome, and C. Tang, ACS Nano 4, 2979 (2010).
4. W. Gannett, W. Regan, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. F. Crommie, and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 98, 242105 (2011).
5. W. H. Balmain, J. Prakt. Chem. 27, 422 (1842).
6. D. Pacilé, J. C. Meyer, C. O. Girit, and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 92, 133107 (2008).
7. H. Zeng, C. Zhi, Z. Zhang, X. Wei, X. Wang, W. Guo, Y. Bando, and D. Golberg, Nano Lett. 10, 5049 (2010).
8. K. J. Erickson, A. L. Gibb, A. Sinitskii, M. Rousseas, N. Alem, J. M. Tour, and A. K. Zettl, Nano Lett. 11, 3221 (2011).
9. J. Cumings and A. Zettl, Chem. Phys. Lett. 316, 211 (2000).
10. N. G. Chopra, R. J. Luyken, K. Cherrey, V. H. Crespi, M. L. Cohen, S. G. Louie, and A. Zettl, Science 269, 966 (1995).
11. S. Stankovich, D. Dikin, R. Piner, K. Kohlhaas, A. Kleinhammes, Y. Jia, and R. Ruoff, Carbon 45, 1558 (2007).
12. C. Gómez-Navarro, R. T. Weitz, A. M. Bittner, M. Scolari, A. Mews, M. Burghard, and K. Kern, Nano Lett. 7, 3499 (2007).
13. C. Oshima and A. Nagashima, J. Phys.: Condens. Matter 9, 1 (1997).
14. A. B. Preobrajenski, A. S. Vinogradov, and N. Martensson, Surf. Sci. 582, 21 (2005).
15. I. Shimoyama, Y. Baba, T. Sekiguchi, and K. G. Nath, Phys. Status Solidi C 9, 1450 (2012).
16. A. B. Preobrajenski, A. S. Vinogradov, M. L. Ng, E. Cavar, R. Westerstrom, A. Mikkelsen, E. Lundgren, and N. Martensson, Phys. Rev. B 75, 245412 (2007).
17. I. Shimoyama, Y. Baba, T. Sekigushi, and K. G. Nath, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 573, 137 (2004).
18. A. Nagashima, N. Tejima, Y. Gamou, T. Kawai, and C. Oshima, Phys. Rev. B 51, 4606 (1995).
19. A. Nagashima, N. Tejima, Y. Gamou, T. Kawai, and C. Oshima, Phys. Rev Lett. 75, 3918 (1995).
20. W. Auwarter, T. J. Kreutz, T. Greber, and J. Osterwalder, Surf. Sci. 429, 229 (1999).
21. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009).
22. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim, B. Ozyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nature Nanotechnol. 5, 574 (2010).
23. Y. Shi, C. Hamsen, X. Jia, K. K. Kim, A. Reina, M. Hofmann, A. L. Hsu, K. Zhang, H. Li, Z. Y. Juang, M. S. Dresselhaus, L. J. Li, and J. Kong, Nano Lett. 10, 4134 (2010).
24. K. K. Kim, A. Hsu, X. Jia, S. Kim, Y. Shi, M. Dresselhaus, T. Palacios, and J. Kong, ACS Nano 6, 8583 (2012).
25. L. Song, L. Ci, H. Lu, P. Sorokin, C. Jin, J. Ni, A. Kvashnin, D. Kvashnin, J. Lou, B. Yakobson, and P. Ajayan, Nano Lett. 10, 3209 (2010).
26. W. Regan, N. Alem, B. Alemán, B. Geng, C. Girit, L. Maserati, F. Wang, M. Crommie, and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 96, 113102 (2010).
27. L. Gao, W. Ren, H. Xu, L. Jin, Z. Wang, T. Ma, L.-P. Ma, Z. Zhang, Q. Fu, L.-M. Peng, X. Bao, and H.-M. Cheng, Nature Commun. 3, 699 (2012).
28. Y. Gao, W. Ren, Z. Ma, Z. Liu, Y. Zhang, W. B. Liu, L. P. Ma, X. Ma, and H. M. Cheng, ACS Nano (2013), DOI: 10.1021/nn4009356.
29. G. Kim, A. R. Jang, H. Y. Jeong, Z. Lee, D. J. Kang, and H. S. Shin, Nano Lett. 13, 1834 (2013).
30. S. J. Kang, B. Kim, K. S. Kim, Y. Zhao, Z. Chen, G. H. Lee, J. Hone, P. Kim, and C. Nuckolls, Adv. Mater. 23, 3531 (2011).
31. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature 457, 706 (2009).
32. T. Kuzuba, K. Era, T. Ishii, and T. Sato, Solid State Commun. 25, 863 (1978).
33. P. K. Lam, International Conference on High Pressure Science and Technology (AIRAPT-17), Poster Session IV, Honolulu, HI, USA, 1999.
34. M. G. Balint and M. I. Petrescu, Diam. Relat. Mater. 18, 1157 (2009).
35. N. Alem, R. Erni, C. Kisielowski, M. Rossell, P. Hartel, B. Jiang, W. Gannett, and A. Zettl, Phys. Status Solidi RRL 5, 295 (2011).
36. J. Kotakoski, C. Jin, O. Lehtinen, K. Suenaga, and A. Krasheninnikov, Phys. Rev. B 82, 1 (2010).
37. A. L. Gibb, N. Alem, J. H. Chen, K. J. Erickson, J. Ciston, A. Gautam, M. Linck, and A. Zettl, J. Am. Chem. Soc. (2013), DOI: 10.1021/ja400637n.