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Physical Chemistry Chemical Physics

Volumn 15, Issue 47, 2013, Pages 20611-20617

Fabrication of high performance/highly functional field-effect transistor devices based on [6]phenacene thin films

(8) Eguchi, Ritsuko a He, Xuexia a Hamao, Shino a Goto, Hidenori a Okamoto, Hideki a Gohda, Shin b Sato, Kaori b Kubozono, Yoshihiro a

a OKAYAMA UNIVERSITY (Japan)

b Nard Institute Ltd (Japan)

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EID: 84887897564 PISSN: 14639076 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c3cp53598c Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.