SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 3, Issue 10, 2013, Pages 3359-3364

Improved transport properties of graphene/GaN junctions in GaN-based vertical light emitting diodes by acid doping

(8) Wang, Liancheng a Zhang, Yiyun a Li, Xiao b Guo, Enqing a Liu, Zhiqiang a Yi, Xiaoyan a Zhu, Hongwei b Wang, Guohong a

a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS (China)

b TSINGHUA UNIVERSITY (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACID DOPING; ACID MODIFICATION; ACID TREATMENTS; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; LIGHT OUTPUT POWER; OPERATING VOLTAGE; TRANSPARENT ELECTRODE; VERTICAL LEDS; VERTICAL LIGHT-EMITTING DIODES;

GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; GRAPHENE; NITRIC ACID; TRANSPORT PROPERTIES;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84873660190 PISSN: None EISSN: 20462069 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2ra22170e Document Type: Article

Times cited : (26)

References (16)

1
- 77955213063
- X. M. Li H. W. Zhu K. L. Wang A. Y. Cao J. Q. Wei C. Y. Li Y. Jia Z. Li X. Li D. H. Wu Adv. Mater. 2010 22 2743
- (2010) Adv. Mater. , vol.22 , pp. 2743
- Li, X.M.¹ Zhu, H.W.² Wang, K.L.³ Cao, A.Y.⁴ Wei, J.Q.⁵ Li, C.Y.⁶ Jia, Y.⁷ Li, Z.⁸ Li, X.⁹ Wu, D.H.¹⁰

2
- 80755143324
- T. H. Seo K. J. Lee A. H. Park C.-H. Hong E.-K. Suh S. J. Chae Y. H. Lee T. V. Cuong V. H. Pham J. S. Chung E. J. Kim S.-R. Jeon Opt. Express 2011 19 23111
- (2011) Opt. Express , vol.19 , pp. 23111
- Seo, T.H.¹ Lee, K.J.² Park, A.H.³ Hong, C.-H.⁴ Suh, E.-K.⁵ Chae, S.J.⁶ Lee, Y.H.⁷ Cuong, T.V.⁸ Pham, V.H.⁹ Chung, J.S.¹⁰ Kim, E.J.¹¹ Jeon, S.-R.¹²

3
- 79961097975
- J. M. Lee H. Y. Jeong K. J. Choi W. Park II Appl. Phys. Lett. 2011 99 041115
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 041115
- Lee, J.M.¹ Jeong, H.Y.² Choi, K.J.³ Park, I.I.W.⁴

4
- 84863122811
- J. M. Lee J. Yi W. W. Lee H. Y. Jeong T. Jung Y. C. Kim W. Park II Appl. Phys. Lett. 2012 100 061107
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 061107
- Lee, J.M.¹ Yi, J.² Lee, W.W.³ Jeong, H.Y.⁴ Jung, T.⁵ Kim, Y.C.⁶ Park, I.I.W.⁷

5
- 84865116879
- L. C. Wang Y. Y. Zhang X. Li Z. Q. Liu E. Q. Guo X. Y. Yi J. X. Wang H. W.Zhu G. H. Wang Appl. Phys. Lett. 2012 101 061102
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.101 , pp. 061102
- Wang, L.C.¹ Zhang, Y.Y.² Li, X.³ Liu, Z.Q.⁴ Guo, E.Q.⁵ Yi, X.Y.⁶ Wang, J.X.⁷ Zhu, H.W.⁸ Wang, G.H.⁹

6
- 79959616704
- T. H. Seo K. J. Lee T. S. Oh Y. S. Lee H. Jeong A. H. Park H. Kim Y. R. Choi E.-K. Suh T. V. Cuong V. H. Pham J. S. Chung E. J. Kim Appl. Phys. Lett. 2011 98 251114
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.98 , pp. 251114
- Seo, T.H.¹ Lee, K.J.² Oh, T.S.³ Lee, Y.S.⁴ Jeong, H.⁵ Park, A.H.⁶ Kim, H.⁷ Choi, Y.R.⁸ Suh, E.-K.⁹ Cuong, T.V.¹⁰ Pham, V.H.¹¹ Chung, J.S.¹² Kim, E.J.¹³

7
- 80053537141
- L. L. Fan Z. Li Z. P. Xu K. L. Wang J. Q. Wei X. Li J. Zou D. H. Wu H. W. Zhu AIP Adv. 2011 1 032145
- (2011) AIP Adv. , vol.1 , pp. 032145
- Fan, L.L.¹ Li, Z.² Xu, Z.P.³ Wang, K.L.⁴ Wei, J.Q.⁵ Li, X.⁶ Zou, J.⁷ Wu, D.H.⁸ Zhu, H.W.⁹

8
- 0004005306
- 3rd edn, Wiley, Hoboken
- S. M. Sze and K. K. Ng, in Physics of semiconductor devices, 3rd edn, 2007, Wiley, Hoboken
- (2007) Physics of Semiconductor Devices
- Sze, S.M.¹ Ng, K.K.²

9
- 84859538293
- H. J. Zhong Z. H. Liu G. Z. Xu Y. M. Fan J. F. Wang X. M. Zhang L. W. Liu K. Xu H. Yang Appl. Phys. Lett. 2012 100 122108
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 122108
- Zhong, H.J.¹ Liu, Z.H.² Xu, G.Z.³ Fan, Y.M.⁴ Wang, J.F.⁵ Zhang, X.M.⁶ Liu, L.W.⁷ Xu, K.⁸ Yang, H.⁹

10
- 33644998963
- 2nd edn, Cambridge University Press, New York
- A. F. J. Levi, Applied Quantum Mechanics, 2nd edn, Cambridge University Press, New York, 2006
- (2006) Applied Quantum Mechanics
- Levi, A.F.J.¹

11
- 78650128081
- S. K. Bae H. K. Kim Y. B. Lee X. F. Xu J. S. Park Y. Zheng J. K. Balakrishnan T. Lei H. R. Kim Y. II. Song Y.-J. Kim K. S. Kim B. H. Hong S. Iijima Nature Nanotechnol. 2010 132 1038
- (2010) Nature Nanotechnol. , vol.132 , pp. 1038
- Bae, S.K.¹ Kim, H.K.² Lee, Y.B.³ Xu, X.F.⁴ Park, J.S.⁵ Zheng, Y.⁶ Balakrishnan, J.K.⁷ Lei, T.⁸ Kim, H.R.⁹ Song II, Y.¹⁰ Kim, Y.-J.¹¹ Kim, K.S.¹² Hong, B.H.¹³ Iijima, S.¹⁴

12
- 84857830381
- T. T. Feng D. Xie Y. X. Lin H. M. Zhao Y. Chen H. Tian T. L. Ren X. Li Z. Li K. L. Wang D. H. Wu H. W. Zhu Nanoscale 2012 4 2130
- (2012) Nanoscale , vol.4 , pp. 2130
- Feng, T.T.¹ Xie, D.² Lin, Y.X.³ Zhao, H.M.⁴ Chen, Y.⁵ Tian, H.⁶ Ren, T.L.⁷ Li, X.⁸ Li, Z.⁹ Wang, K.L.¹⁰ Wu, D.H.¹¹ Zhu, H.W.¹²

13
- 79955896125
- Y. Jia A. Y. Cao X. Bai Z. Li L. H. Zhang N. Guo J. Q. Wei K. L. Wang H. W. Zhu D. H. Wu P. M. Ajayan Nano Lett. 2011 11 1901
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 1901
- Jia, Y.¹ Cao, A.Y.² Bai, X.³ Li, Z.⁴ Zhang, L.H.⁵ Guo, N.⁶ Wei, J.Q.⁷ Wang, K.L.⁸ Zhu, H.W.⁹ Wu, D.H.¹⁰ Ajayan, P.M.¹¹

14
- 77958023479
- K. Nagashio T. Nishimura K. Kita A. Toriumi Appl. Phys. Lett. 2010 97 143514
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.97 , pp. 143514
- Nagashio, K.¹ Nishimura, T.² Kita, K.³ Toriumi, A.⁴

15
- 84870213161
- L. C. Wang Y. Y. Zhang X. Li Z. Q. Liu E. Q. Guo X. Y. Yi J. X. Wang H. W. Zhu G. H. Wang J. Phys. D: Appl. Phys. 2012 45 505102
- (2012) J. Phys. D: Appl. Phys. , vol.45 , pp. 505102
- Wang, L.C.¹ Zhang, Y.Y.² Li, X.³ Liu, Z.Q.⁴ Guo, E.Q.⁵ Yi, X.Y.⁶ Wang, J.X.⁷ Zhu, H.W.⁸ Wang, G.H.⁹

16
- 84872284888
- L. C. Wang Y. Y. Zhang X. Li Z. Q. Liu E. Q. Guo X. Y. Yi J. X. Wang H. W. Zhu G. H. Wang Proc. R. Soc. A 2013 469 20120652
- (2013) Proc. R. Soc. A , vol.469 , pp. 20120652
- Wang, L.C.¹ Zhang, Y.Y.² Li, X.³ Liu, Z.Q.⁴ Guo, E.Q.⁵ Yi, X.Y.⁶ Wang, J.X.⁷ Zhu, H.W.⁸ Wang, G.H.⁹

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.