P-type doping of spiro-MeOTAD with WO 3 and the spiro-MeOTAD/WO 3 interface investigated by synchrotron-induced photoelectron spectroscopy

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 34, 2012, Pages 18146-18154

  Hock, René ^a   Mayer, Thomas ^a   Jaegermann, Wolfram ^a  

^a DARMSTADT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

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CO-EVAPORATED; CYCLOHEXANONES; DEPOSITION SEQUENCES; DOPING MECHANISM; DROP-CASTING; INTERFACE CHARGE; INTERFACE DIPOLE; ORGANIC HOLE CONDUCTORS; P-DOPING; P-TYPE DOPING; TUNGSTEN OXIDE; VALENCE BAND SPECTRA;

BINDING ENERGY; CHARGE TRANSFER; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TUNGSTEN COMPOUNDS;

SEMICONDUCTOR DOPING;

EID: 84865786028     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp301179v     Document Type: Article

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