Synthesis and properties of graphene oxide/graphene nanostructures

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 60, Issue 10, 2012, Pages 1789-1793

  Kapitanova, O O ^a,b   Panin, G N ^a,c   Baranov, A N ^b   Kang, T W ^a  

^a Dongguk University   (South Korea)

^b MOSCOW STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

^c INSTITUTE OF MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND HIGH PURITY MATERIALS   (Russian Federation)

Author keywords

Graphene; Graphene oxide; Nanostructures; Redox process

Indexed keywords

EID: 84863612661     PISSN: 03744884     EISSN: 19768524     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.60.1789     Document Type: Article

References (21)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
2. G. Eda, G. Fanchini and M. Chhowalla, Nat. Nanotechnol. 3, 270 (2008).
3. K. A. Mkhoyan et al., Nano Lett. 9, 1058 (2009).
4. C. Gómez-Navarro, R. T. Weitz, A. M. Bittner, M. Scolari, A. Mews, M. Burghard and K. Kern, Nano Lett. 7, 3499 (2007).
5. G. Eda, Y.-Y. Lin, S. Miller, C.-W. Chen, W.-F. Su and M. Chhowalla, Appl. Phys. Lett. 92, 233305 (2008).
6. H. A. Becerril, J. Mao, Z. Liu, R. M. Stoltenberg, Z. Bao and Y. Chen, ACS Nano 2, 463 (2008).
7. J. Wu, H. A. Becerril, Z. Bao, Z. Liu, Y. Chen and P. Peumans, Appl. Phys. Lett. 92, 263302 (2008).
8. B. C. Brodie, Philos. Trans. R. Soc. London 149, 249 (1859).
9. W. Hummers and R. Offeman, J. Am. Chem. Soc. 80, 1339 (1958).
10. M. Hirata, T. Gotou, S. Horiuchi, M. Fujiwara and M. Ohba, Carbon 42, 2929 (2004).
11. A. C. Ferrari and J. Robertson, Phys. Rev. B 61, 14095 (2000).
12. X. Gao, J. Jang and S. Nagase, J. Phys. Chem. C 114, 832 (2010).
13. S. Stankovich et al., Carbon 45, 1558 (2007).
14. Z. Luo, P. M. Vora, E. J. Mele, A. T. C. Johnson and J. M. Kikkawa, Appl. Phys. Lett. 94, 111909 (2009).
15. T. Gokus, R. R. Nair, A. Bonetti, M. Bohmler, A. Lombardo, K. S. Novoselov, A. K. Geim, A. C. Ferrari and A. Hartschuh, ACS Nano 3, 3963 (2009).
16. G. Eda, Y-Y. Lin, C. Mattevi, H. Yamaguchi, H. Chen, I-S. Chen, C-W. Chen and M. Chhowalla, Adv. Mater. 22, 505 (2010).
17. G. Panin, C. Di{dotless}az-Guerra and J. Piqueras, Appl. Phys. Lett. 72, 2129 (1998).
18. T. J. Echtermeyer, M. C. Lemme, M. Baus, B. N. Szafranek, A. K. Geim and H. Kurz, arXiv: 0712. 2026v1.
19. T. J. Echtermeyer, M. C. Lemme, M. Baus, B. N. Szafranek, A. K. Geim and H. Kurz, IEEE Electron. Devices Lett. 29, 952 (2008).
20. B. R. Goldsmith, J. G. Coroneus, V. R. Khalap, A. A. Kane, G. A. Weiss and P. G. Collins, Science 315, 77 (2007).
21. C. Mattevi, G. Eda, S. Agnoli, S. Miller, K. A. Mkhoyan, O. Celik, D. Mastrogiovanni, G. Granozzi, E. Garfunkel and M. Chhowalla, Adv. Funct. Mater. 19, 2577 (2009).