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Volumn 97, Issue 2, 2012, Pages

Strain-induced topological insulating behavior in ternary chalcogenide Ge 2Sb 2Te 5

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EID: 84862973287     PISSN: 02955075     EISSN: 12864854     Source Type: Journal    
DOI: 10.1209/0295-5075/97/27003     Document Type: Article
Times cited : (14)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.