Ab initio calculations of intrinsic point defects in ZnSb

Chemistry of Materials

Volumn 24, Issue 11, 2012, Pages 2111-2116

  Bjerg, Lasse ^a   Madsen, Georg K H ^b   Iversen, Bo B ^a  

^a AARHUS UNIVERSITY   (Denmark)

^b RUHR UNIVERSITY BOCHUM   (Germany)

Author keywords

antimonides; doping bottleneck; n type; p type; semiconductor; thermoelectric materials; zintl

Indexed keywords

ANTIMONIDES; N-TYPE; P-TYPE; THERMOELECTRIC MATERIAL; ZINTL;

CALCULATIONS; ENERGY GAP; POINT DEFECTS; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR MATERIALS; THERMOELECTRIC EQUIPMENT; THERMOELECTRICITY;

ZINC;

EID: 84862197426     PISSN: 08974756     EISSN: 15205002     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm300642t     Document Type: Article

References (82)

1. Snyder, G. J.; Toberer, E. S. Nat. Mater. 2008, 7, 105-114
2. Sootsman, J. R.; Chung, D. Y.; Kanatzidis, M. G. Angew. Chem., Int. Ed. 2009, 48, 8616-8639
3. Caillat, T.; Fleurial, J.; Borshchevsky, A. J. Phys. Chem. Solids 1997, 58, 1119-1125
4. Snyder, G.; Christensen, M.; Nishibori, E.; Caillat, T.; Iversen, B. Nat. Mater. 2004, 3, 458-463
5. Cargnoni, F.; Nishibori, E.; Rabiller, P.; Bertini, L.; Snyder, G.; Christensen, M.; Gatti, C.; Iversen, B. Chem.-Eur. J. 2004, 10, 3861-3870
6. Pedersen, B. L.; Yin, H.; Birkedal, H.; Nygren, M.; Iversen, B. B. Chem. Mater. 2010, 22, 2375-2383
7. Iversen, B. B. J. Mater. Chem. 2010, 20, 10778-10787
8. Wang, X.-J.; Tang, M.-B.; Chen, H.-H.; Yang, X.-X.; Zhao, J.-T.; Burkhardt, U.; Grin, Y. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 092106
9. Zunger, A. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 57-59
10. Justi, E.; Rasch, W.; Schneider, G. Adv. Energy Convers. 1964, 4, 27-38
11. Schneider, G. Phys. Status Solidi 1969, 33, K133-K136
12. Abou-Zeid, A.; Schneider, G. Z. Naturforsch. A 1975, 30, 381-382
13. Abou-Zeid, A.; Schneider, G. Phys. Status Solidi A 1971, 6, K101-K103
14. May, A. F.; McGuire, M. A.; Ma, J.; Delaire, O.; Huq, A.; Custelcean, R. J. Appl. Phys. 2012, 111, 033708
15. Bjerg, L.; Madsen, G. K. H.; Iversen, B. B. Chem. Mater. 2011, 23, 3907-3914
16. Ioffe, A. F. Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling; Infosearch Ltd., 1957.
17. Nylén, J.; Lidin, S.; Andersson, M.; Liu, H.; Newman, N.; Haussermann, U. J. Solid State Chem. 2007, 180, 2603-2615
18. Toberer, E. S.; Rauwel, P.; Gariel, S.; Tafto, J.; Snyder, G. J. J. Mater. Chem. 2010, 20, 9877-9885
19. Pomrehn, G. S.; Toberer, E. S.; Snyder, G. J.; van deWalle, A. Phys. Rev. B 2011, 83, 094106
20. Pomrehn, G. S.; Toberer, E. S.; Snyder, G. J.; van de Walle, A. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 11255-11261
21. Benson, D.; Sankey, O. F.; Haeussermann, U. Phys. Rev. B 2011, 84, 125211
22. Toberer, E. S.; May, A. F.; Scanlon, C. J.; Snyder, G. J. J. Appl. Phys. 2009, 105, 063701
23. Kawano, K.; Kurosaki, K.; Muta, H.; Yamanaka, S. J. Appl. Phys. 2008, 104, 013714
24. Gascoin, F.; Ottensmann, S.; Stark, D.; Haile, S.; Snyder, G. Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1860-1864
25. Zhang, H.; Zhao, J.-T.; Grin, Y.; Wang, X.-J.; Tang, M.-B.; Man, Z.-Y.; Chen, H.-H.; Yang, X.-X. J. Chem. Phys. 2008, 129, 164713
26. Zhang, H.; Fang, L.; Tang, M.-B.; Chen, H.-H.; Yang, X.-X.; Guo, X.; Zhao, J.-T.; Grin, Y. Intermetallics 2010, 18, 193-198
27. May, A. F.; Toberer, E. S.; Snyder, G. J. J. Appl. Phys. 2009, 106, 013706
28. Wang, H. F.; Cai, K. F.; Li, H.; Wang, L.; Zhou, C. W. J. Alloys Compd. 2009, 477, 519-522
29. Wang, X.-J.; Tang, M.-B.; Zhao, J.-T.; Chen, H.-H.; Yang, X.-X. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 232107
30. Saparov, B.; Saito, M.; Bobev, S. J. Solid State Chem. 2011, 184, 432-440
31. Kim, S.; Kanatzidis, M. Inorg. Chem. 2001, 40, 3781-3785
32. Saparov, B.; He, H.; Zhang, X.; Greene, R.; Bobev, S. Dalton Trans. 2010, 39, 1063-1070
33. Zevalkink, A.; Toberer, E. S.; Zeier, W. G.; Flage-Larsen, E.; Snyder, G. J. Energy Environ. Sci. 2011, 4, 510-518
34. Zevalkink, A.; Toberer, E. S.; Bleith, T.; Flage-Larsen, E.; Snyder, G. J. J. Appl. Phys. 2011, 110, 013721
35. Park, S.; Choi, E.; Kang, W.; Kim, S. J. Mater. Chem. 2002, 12, 1839-1843
36. Kim, S.; Ireland, J.; Kannewurf, C.; Kanatzidis, M. J. Solid State Chem. 2000, 155, 55-61
37. Kim, S.; Hu, S.; Uher, C.; Kanatzidis, M. Chem. Mater. 1999, 11, 3154-3159
38. Zheng, W.-Z.; Wang, P.; Wu, L.-M.; Liu, Y.; Chen, L. Inorg. Chem. 2010, 49, 5890-5896
39. Brown, S.; Kauzlarich, S.; Gascoin, F.; Snyder, G. Chem. Mater. 2006, 18, 1873-1877
40. Yi, T.; Cox, C. A.; Toberer, E. S.; Snyder, G. J.; Kauzlarich, S. M. Chem. Mater. 2010, 22, 935-941
41. Brown, S. R.; Kauzlarich, S. M.; Gascoin, F.; Snyder, G. J. J. Solid State Chem. 2007, 180, 1414-1420
42. Ponnambalam, V.; Gao, X.; Lindsey, S.; Alboni, P.; Su, Z.; Zhang, B.; Drymiotis, F.; Daw, M. S.; Tritt, T. M. J. Alloys Compd. 2009, 484, 80-85
43. Candolfi, C.; Lenoir, B.; Chubilleau, C.; Dauscher, A.; Guilmeau, E. J. Phys.-Condens. Mater. 2010, 22, 025801
44. Condron, C. L.; Kauzlarich, S. M.; Gascoin, F.; Snyder, G. J. J. Solid State Chem. 2006, 179, 2252-2257
45. Böttger, P. H. M.; Pomrehn, G. S.; Snyder, G. J.; Finstad, T. G. Phys. Status Solidi A 2011, 208, 2753-2759
46. Goss, J. P.; Jones, R.; Heggie, M. I.; Ewels, C. P.; Briddon, P. R.; Öberg, S. Phys. Rev. B 2002, 65, 115207
47. Zhang, S. B.; Northrup, J. E. Phys. Rev. Lett. 1991, 67, 2339-2342
48. Neugebauer, J.; Van de Walle, C. G. Phys. Rev. Lett. 1995, 75, 4452-4455
49. Van de Walle, C.; Neugebauer, J. J. Appl. Phys. 2004, 95, 3851-3879
50. Kohan, A. F.; Ceder, G.; Morgan, D.; Van de Walle, C. G. Phys. Rev. B 2000, 61, 15019-15027
51. Zhang, S. B.; Wei, S.-H.; Zunger, A. Phys. Rev. B 2001, 63, 075205
52. Park, C. H.; Zhang, S. B.; Wei, S.-H. Phys. Rev. B 2002, 66, 073202
53. Lany, S.; Zunger, A. Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 045501
54. Zhao, Y.; Persson, C.; Lany, S.; Zunger, A. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5860-5862
55. Persson, C.; Zhao, Y.-J.; Lany, S.; Zunger, A. Phys. Rev. B 2005, 72, 035211
56. Xiong, K.; Lee, G.; Gupta, R. P.; Wang, W.; Gnade, B. E.; Cho, K. J. Phys. D Appl. Phys. 2010, 43, 405403
57. Kato, A.; Yagi, T.; Fukusako, N. J. Phys.-Condens. Mater. 2009, 21, 205801
58. Park, C.-H.; Kim, Y.-S. Phys. Rev. B 2010, 81, 085206
59. Yoshiya, M.; Okabayashi, T.; Tada, M.; Fisher, C. J. Electron. Mater. 2010, 39, 1681-1686 10.1007/s11664-010-1237-x.
60. Hashibon, A.; Elsässer, C. Phys. Rev. B 2011, 84, 144117
61. Scanlon, D. O.; Watson, G. W. J. Mater. Chem. 2011, 21, 3655-3663
62. Sharp, J. W.; Jones, E. C.; Williams, R. K.; Martin, P. M.; Sales, B. C. J. Appl. Phys. 1995, 78, 1013-1018
63. Liu, W.-S.; Zhang, B.-P.; Li, J.-F.; Zhao, L.-D. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 566
64. Liu, W.-S.; Zhang, B.-P.; Li, J.-F.; Zhao, L.-D. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 6784
65. Morelli, D. T.; Caillat, T.; Fleurial, J. P.; Borschevsky, A.; Vandersande, J.; Chen, B.; Uher, C. Phys. Rev. B 1995, 51, 9622-9628
66. Caillat, T.; Borshchevsky, A.; Fleurial, J. J. Appl. Phys. 1996, 80, 4442-4449
67. Qian, G.-X.; Martin, R. M.; Chadi, D. J. Phys. Rev. B 1988, 38, 7649-7663
68. Åberg, D.; Erhart, P.; Williamson, A. J.; Lordi, V. Phys. Rev. B 2008, 77, 165206
69. Kresse, G.; Hafner J. Phys. Rev. B 1993, 47, 558-561
70. Kresse, G.; Furthmüller, J. Phys. Rev. B 1996, 54, 11169-11186
71. Perdew, J. P.; Burke, K.; Ernzerhof, M. Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3865-3868
72. Blöchl, P. E. Phys. Rev. B 1994, 50, 17953-17979
73. Kresse, G.; Joubert, D. Phys. Rev. B 1999, 59, 1758-1775
74. Mozharivskyj, Y.; Pecharsky, A.; Bud'ko, S.; Miller, G. Chem. Mater. 2004, 16, 1580-1589
75. Makov, G.; Payne, M. C. Phys. Rev. B 1995, 51, 4014-4022
76. Gajdoš, M.; Hummer, K.; Kresse, G.; Furthmuller, J.; Bechstedt, F. Phys. Rev. B 2006, 73, 045112
77. Baroni, S.; Resta, R. Phys. Rev. B 1986, 33, 7017-7021
78. Grecu, D.; Dederichs, P. H. Phys. Lett. A 1971, 36, 135-136
79. Dederichs, P. H.; Pollmann, J. Z. Phys. 1972, 255, 315-324
80. Turner, W. J.; Fischler, A. S.; Reese, W. E. Phys. Rev. 1961, 121, 759-767
81. Závêtová, M. Phys. Status Solidi 1964, 5, K19-K21
82. Yamada, Y. Phys. Status Solidi B 1978, 85, 723-732