Coexistence of ferroelectric vortex domains and charged domain walls in epitaxial BiFeO 3 film on (110) O GdScO 3 substrate

Journal of Applied Physics

Volumn 111, Issue 10, 2012, Pages

  Qi, Yajun ^a,b   Chen, Zuhuang ^a   Huang, Chuanwei ^a   Wang, Lihua ^c   Han, Xiaodong ^c   Wang, Junling ^a   Yang, Ping ^d   Sritharan, Thirumany ^a   Chen, Lang ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b HUBEI UNIVERSITY   (China)

^c BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^d NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGED DOMAIN WALL; DOMAIN CONFIGURATIONS; VORTEX STRUCTURES;

EPITAXIAL GROWTH; VORTEX FLOW;

FERROELECTRICITY;

EID: 84862137654     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4722253     Document Type: Conference Paper

References (34)

1. T. Shinjo, T. Okuno, R. Hassdorf, K. Shigeto, and T. Ono, Science 289, 930 (2000). 10.1126/science.289.5481.930
2. A. Wachowiak, J. Wiebe, M. Bode, O. Pietzsch, M. Morgenstern, and R. Wiesendanger, Science 298, 18 (2002). 10.1126/science.1075302
3. S.-B. Choe, Y. Acremann, A. Scholl, A. Bauer, A. Doran, J. Stohr, and H. A. Padmore, Science 304, 420 (2004). 10.1126/science.1095068
4. I. I. Naumov, L. Bellaiche, and H. Fu, Nature 432, 737 (2004). 10.1038/nature03107
5. H. Fu and L. Bellaiche, Phys. Rev. Lett. 91, 257601 (2003). 10.1103/PhysRevLett.91.257601
6. A. Schilling, D. Byrne, G. Catalan, K. Weber, Y. Genenko, G. Wu, J. F. Scott, and J. M. Gregg, Nano Lett. 9, 3359 (2009). 10.1021/nl901661a
7. L. J. McGilly, A. Schilling, and J. M. Gregg, Nano Lett. 10, 4200 (2010). 10.1021/nl102566y
8. R. G. P. McQuaid, L. J. McGilly, P. Sharma, A. Gruverman, and J. M. Gregg, Nat. Commun. 2, 404 (2011). 10.1038/ncomms1413
9. N. Balke, S. Choudhury, S. Jesse, M. Huijben, Y. H. Chu, A. P. Baddorf, L. Q. Chen, R. Ramesh, and S. V. Kalinin, Nat. Nanotechnol. 4, 868 (2009). 10.1038/nnano.2009.293
10. R. K. Vasudevan, Y. C. Chen, H. H. Tai, N. Balke, P. P. Wu, S. Bhattacharya, L. Q. Chen, Y. H. Chu, I. N. Lin, S. V. Kalinin, and V. Nagarajan, ACS Nano 5, 879 (2011). 10.1021/nn102099z
11. B. J. Rodriguez, X. S. Gao, L. F. Liu, W. Lee, I. I. Naumov, A. M. Bratkovsky, D. Hesse, and M. Alexe, Nano Lett. 9, 1127 (2009). 10.1021/nl8036646
12. Y. Ivry, D. P. Chu, J. F. Scott, and C. Durkan, Phys. Rev. Lett. 104, 207602 (2010). 10.1103/PhysRevLett.104.207602
13. C. L. Jia, K. W. Urban, M. Alexe, D. Hesse, and I. Vrejoiu, Science 331, 1420 (2011). 10.1126/science.1200605
14. C. T. Nelson, B. Winchester, Y. Zhang, S. J. Kim, A. Melville, C. Adamo, C. M. Folkman, S. H. Baek, C. B. Eom, D. G. Schlom, L. Q. Chen, and X. Q. Pan, Nano Lett. 11, 828 (2011). 10.1021/nl1041808
15. M. Y. Gureev, A. K. Tagantsev, and N. Setter, Phys. Rev. B 83, 184104 (2011). 10.1103/PhysRevB.83.184104
16. C. J. Lu, C. J. Nie, X. F. Duan, J. Q. Li, H. J. Zhang, and J. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 201906 (2006). 10.1063/1.2203751
17. C. A. Randall, D. Barber, and R. W. Whatmore, J. Mater. Sci. 22, 925 (1987). 10.1007/BF01103531
18. C. L. Jia, S.-B. Mi, K. Urban, I. Vrejoiu, M. Alexe, and D. Hesse, Nature Mater. 7, 57 (2008). 10.1038/nmat2080
19. N. Balke, M. Gajek, A. K. Tagantsev, L. W. Martin, Y. H. Chu, R. Ramesh, and S. V. Kalinin, Adv. Funct. Mater. 20, 3466 (2010). 10.1002/adfm.201000475
20. W. M. Lee, J. H. Sung, K. Chu, X. Moya, D. Lee, C. J. Kim, N. D. Mathur, S.-W. Cheong, C.-H. Yang, and M. H. Jo, Adv. Mater. 24, OP49 (2012). 10.1002/adma.201102816
21. S. Geller, Acta Crystallogr. 10, 243 (1957). 10.1107/S0365110X57000778
22. Z. H. Chen, L. You, C. W. Huang, Y. J. Qi, J. L. Wang, T. Sritharan, and L. Chen, Appl. Phys. Lett. 96, 252903 (2010). 10.1063/1.3456729
23. Z. H. Chen, Z. L. Luo, C. W. Huang, Y. J. Qi, P. Yang, L. You, C. S. Hu, T. Wu, J. L. Wang, C. Gao, T. Sritharan, and L. Chen, Adv. Funct. Mater. 21, 133 (2011). 10.1002/adfm.201001867
24. S. K. Streiffer, C. B. Parker, A. E. Romanov, M. J. Lefevre, L. Zhao, J. S. Speck, W. Pompe, C. M. Foster, and G. R. Bai, J. Appl. Phys. 83, 2742 (1998). 10.1063/1.366632
25. Y. H. Chu, Q. He, C. H. Yang, P. Yu, L. W. Martin, P. Shafer, and R. Ramesh, Nano Lett. 9, 1726 (2009). 10.1021/nl900723j
26. C. M. Folkman, S. H. Baek, H. W. Jang, C. B. Eom, C. T. Nelson, X. Q. Pan, Y. L. Li, L. Q. Chen, A. Kumar, V. Gopalan, and S. K. Streiffer, Appl. Phys. Lett. 94, 251911 (2009). 10.1063/1.3152009
27. M. Tanaka and G. Honjo, J. Phys. Soc. Jpn. 19, 951 (1964). 10.1143/JPSJ.19.951
28. F. J. Fujimoto, J. Phys. Soc. Jpn. 14, 1558 (1959). 10.1143/JPSJ.14.1558
29. T. Asada and Y. Koyama, Phys. Rev. B 75, 214111 (2004). 10.1103/PhysRevB.75.214111
30. D. D. Fong, A. M. Kolpak, J. A. Eastman, S. K. Streiffer, P. H. Fuoss, G. B. Stephenson, C. Thompson, D. M. Kim, K. J. Choi, C. B. Eom, I. Grinberg, and A. M. Rappe, Phys. Rev. Lett. 96, 127601 (2006). 10.1103/PhysRevLett.96.127601
31. A. Lubk, S. Gemming, and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 80, 104110 (2009). 10.1103/PhysRevB.80.104110
32. C. W. Huang, L. Chen, J. Wang, Q. He, S. Y. Yang, Y. H. Chu, and R. Ramesh, Phys. Rev. B 80, 140101 (2009). 10.1103/PhysRevB.80.140101
33. C. W. Huang, Z. H. Chen, J. L. Wang, T. Sritharan, and L. Chen, J. Appl. Phys. 110, 014110 (2011). 10.1063/1.3607977
34. C. Kittel, Phys. Rev. 70, 965 (1946). 10.1103/PhysRev.70.965