Inkjet printing of graphene nanoribbons for organic field-effect transistors

Applied Physics Express

Volumn 4, Issue 11, 2011, Pages

  Yu, Yan ^a   Wada, Hiroshi ^a   Inoue, Jun Ichi ^a   Imaizumi, Shinji ^a   Kounosu, Yuichi ^a   Tsuboi, Kazuma ^a   Matsumoto, Hidetoshi ^a   Ashizawa, Minoru ^a   Mori, Takehiko ^a   Minagawa, Mie ^a   Tanioka, Akihiko ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BOTTOM-CONTACT; GRAPHENE NANO-RIBBON; GRAPHENE NANORIBBONS; NANORIBBONS; ORGANIC TRANSISTOR; PENTACENES; SELECTIVE DEPOSITION; SEXITHIOPHENES; SOURCE AND DRAIN ELECTRODES; VACUUM-ANNEALING;

CONDUCTIVE FILMS; GRAPHENE; INK JET PRINTING; OXIDE FILMS;

ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 81055137650     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.4.115101     Document Type: Article

References (25)

1. Organic Field-Effect Transistors, ed. Z. Bao and J. Locklin (CRC Press, New York, 2007).
2. Y. Noguchi, T. Sekitani, and T. Someya: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 253507.
3. N. Zhao, M. Chiesa, H. Sirringhaus, Y. Li, Y. Wu, and B. Ong: J. Appl. Phys. 101 (2007) 064513.
4. M. J. Panzer and C. D. Frisbie: Organic Field-Effect Transistors (CRC Press, New York, 2007) p. 139.
5. H. Wada and T. Mori: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 213303.
6. H. Wada and T. Mori: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 253307.
7. C. Di, D. Wei, G. Yu, Y. Liu, Y. Guo, and D. Zhu: Adv. Mater. 20 (2008) 3289.
8. S. Lee, G. Jo, S. Kang, G. Wang, M. Choe, W. Park, D. Kim, Y. H. Kahng, and T. Lee: Adv. Mater. 23 (2011) 100.
9. W. H. Lee, J. Park, S. H. Sim, S. B. Jo, K. S. Kim, B. H. Hong, and K. Cho: Adv. Mater. 23 (2011) 1752.
10. S. Pang, H. N. Tsao, X. Feng, and K. Müllen: Adv. Mater. 21 (2009) 3488.
11. C.-G. Lee, S. Park, R. S. Ruoff, and A. Dodabalapur: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 023304.
12. P. H. Wönkenberg, G. Eda, D.-S. Leem, J. C. de Mello, D. D. C. Bradley, M. Chhowalla, and T. D. Anthropoulos: Adv. Mater. 23 (2011) 1558.
13. K. Suganuma, S. Watanabe, T. Gotou, and K. Ueno: Appl. Phys. Express 4 (2011) 021603.
14. Y. Y. Zhang, Y. Shi, F. Chen, S. G. Mhaisalkar, L.-J. Li, and B. S. Ong: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 223512.
15. M. Lefenfeld, G. Blanchet, and J. A. Rogers: Adv. Mater. 15 (2003) 1188.
16. J. Sung, P. S. Jo, H. Shin, J. Huh, B. G. Min, D. H. Kim, and C. Park: Adv. Mater. 20 (2008) 1505.
17. T. Takenobu, T. Takahashi, T. Kanbara, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, and Y. Iwasa: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 033511.
18. T. Takenobu, N. Miura, S.-Y. Lu, H. Okimoto, T. Asano, M. Shiraishi, and Y. Iwasa: Appl. Phys. Express 2 (2009) 025005.
19. S. Wang, P. K. Ang, Z. Wang, A. L. L. Tang, J. T. L. Thong, and K. P. Loh: Nano Lett. 10 (2010) 92.
20. Y. M. Jo, S. Yoon, J.-H. Lee, S.-J. Park, S. R. Kim, and I. In: Chem. Lett. 40 (2011) 54.
21. D. V. Kosynkin, A. L. Higginbotham, A. Sinitskii, J. R. Lomeda, A. Dimiev, B. K. Price, and J. M. Tour: Nature 458 (2009) 872.
22. T. Minari, M. Kano, T. Miyadera, S.-D. Wang, Y. Aoyagi, M. Seto, T. Memoto, S. Isoda, and K. Tsukagoshi: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 173301.
23. S. Park, J. An, I. Jung, R. D. Piner, S. J. An, X. Li, A. Velamakanni, and R. S. Ruoff: Nano Lett. 9 (2009) 1593.
24. K. Shibata, H. Wada, K. Ishikawa, H. Takezoe, and T. Mori: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 193509.
25. S. Pang, Y. Hernandez, X. Feng, and K. Müllen: Adv. Mater. 23 (2011) 2779.