Origin of the Raman mode at 379 cm-1 observed in ZnO thin films grown on sapphire

Journal of Raman Spectroscopy

Volumn 42, Issue 7, 2011, Pages 1574-1577

  Souissi, A ^a   Marzouki, A ^a   Sayari, A ^a   Sallet, V ^b   Lusson, A ^b   Oueslati, M ^a  

^a FACULTÉ DES SCIENCES DE TUNIS   (Tunisia)

^b LABORATOIRE DES SCIENCES DU CLIMAT ET DE L ENVIRONNEMENT   (France)

Author keywords

annealing; metal organic chemical vapor deposition; Raman active mode; Raman scattering; sapphire; thin films; ZnO

Indexed keywords

EID: 79960111652     PISSN: 03770486     EISSN: 10974555     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/jrs.2887     Document Type: Article

References (25)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng. B 2001, 80, 383.
2. G. Zhang, A. Nakamura, T. Aoki, J. Temmyo, Y. Matsui, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 113112.
3. B. J. Kwon, H. S. Kwack, S. K. Lee, Y. H. Cho, D. K. Hwang, S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 061903.
4. H. Kim, A. Cepler, M. S. Osofsky, R. C. Y. Auyeung, A. Pique', Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 203508.
5. Y. S. Jung, W. K. Choi, O. V. Kononenko, G. N. Panin, J. Appl. Phys. 2006, 99, 013502.
6. Q. P. Wang, D. H. Zang, H. L. Ma, X. J. Zang, Appl. Sci. 2003, 220, 12.
7. C. Munuera, J. Zuniga-Perez, J. F. Rommeluere, V. Sallet, J. Cryst. Growth 2004, 264, 70.
8. X. Q. Wei, B. Y. Man, M. Liu, C. S. Xue, H. Z. Zhuang, C. Yang, Physica B 2007, 388, 145.
9. G. Du, Y. Ma, Y. Zhang, T. Yang, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 213103.
10. J. Z. Wang, M. Peres, J. Soares, O. Gorochov, N. P. Barradas, E. Alves3, J. E. Lewis, E. Fortunato, A. Neves, T. Monteiro, J. Phys.: Condens. Matter 2005, 17, 1719.
11. F. Friedrich, M. A. Gluba, N. H. Nickel, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 141903.
12. O. S. Kumar, E. Watanabe, R. Nakai, N. Nishimoto, Y. Fujita, J. Cryst. Growth 2007, 298, 491.
13. C. Bundesmann, N. Ashkenov, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1974.
14. W. L. Bragg, Philos. Mag. 1920, 39, 647.
15. T. Wermelinger, C. Borgia, C. Solenthaler, R. Spolenak, Acta Mater. 2007, 55, 4657.
16. R. Loudon, Adv. Phys. 1964, 12, 423.
17. R. Nowak, T. Manninen, C. L. Li, K. Heiskanen, S. P. Hannula, V. Lindroos, JSME Int. J., Ser. A, Solid Mech. Mater. Eng. 2003, 46, 265.
18. G. Gouadec, P. Colomban, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2007, 53, 1.
19. M. Havel, D. Baron, P. Colomban, J. Mater. Sci. 2004, 39, 6183.
20. R. Cuscó, E. Alarcón-Lladó, J. Ibáñez, L. Artús, Phys. Rev. B 2007, 75, 165202.
21. S. P. S. Porto, R. S. Krishnan, J. Chem. Phys. 1967, 47, 1009.
22. G. H. Watson, W. B. Daniels, C. S. Wang, J. Appl. Phys. 1981, 52, 956.
23. J. P. Cui, Y. Duan, X. F. Wang, Y. P. Zeng, Microelectr. J. 2008, 39, 1542.
24. J. P. Cui, X. F. Xiao, Y. Duan, J. X. He, Y. P. Zeng, Chin. Phys. Lett. 2008, 25, 2277.
25. R. Al Asmar, J. P. Atanas, M. Ajaka, Y. Zaatar, G. Ferblantier, J. L. Sauvajol, J. Jabbour, S. Juillaget, A. Foucaran, J. Cryst. Growth. 2005, 279, 394.