Preliminary investigations of infrared Er-related photoluminescence in ion-implanted In0.07Ga0.93N

Applied Physics Letters

Volumn 80, Issue 24, 2002, Pages 4504-4506

  Correia, M R ^a   Pereira, S ^a   Cavaco, A ^a   Pereira, E ^a   Alves, E ^b  

^a UNIVERSITY OF AVEIRO   (Portugal)

^b INSTITUTO TECNOLÓGICO E NUCLEAR   (Portugal)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND-GAP EXCITATION; LINE EMISSIONS; ROOM TEMPERATURE; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE;

ACTIVATION ENERGY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE;

ERBIUM;

EID: 79956013516     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1484545     Document Type: Article

References (21)

1. A. Polman, J. Appl. Phys. 82, 1 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
2. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axmann, Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983). apl APPLAB 0003-6951
3. P. N. Favennec, H. L'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, and M. Gauneau, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L524 (1990). jjc JAPLD8 0021-4922
4. J. Michel, J. L. Benton, R. F. Ferrante, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J. M. Poate, and L. C. Kimerling, J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991). jap JAPIAU 0021-8979
5. D. L. Adler, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, M. A. Marcus, J. L. Benton, J. M. Poate, and P. H. Citrin, Appl. Phys. Lett. 61, 2181 (1992). apl APPLAB 0003-6951
6. R. S. Smith, H. D. Müller, H. Ennen, P. Wennekers, and M. Maier, Appl. Phys. Lett. 50, 49 (1987). apl APPLAB 0003-6951
7. K. Takahei, A. Taguchi, Y. Horikoshi, and J. Nakata, J. Appl. Phys. 76, 4332 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
8. A. Taguchi and T. Ohno, Phys. Rev. B 56, 9477 (1997). prb PRBMDO 0163-1829
9. K. Uwai, H. Nakagone, and K. Takahei, Appl. Phys. Lett. 51, 1010 (1987). apl APPLAB 0003-6951
10. A. J. Neuhalfen and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 59, 2317 (1991). apl APPLAB 0003-6951
11. R. A. Babunts, V. A. Vetrov, I. V. Il'in, E. N. Mokhov, N. G. Romanov, V. A. Khramtsov, and P. G. Baranov, Phys. Solid State 42, 829 (2000). pss PSOSED 1063-7834
12. C. H. Qiu, M. W. Leksono, J. I. Pankove, J. T. Torvik, R. J. Feuerstein, and F. Namavar, Appl. Phys. Lett. 66, 562 (1995). apl APPLAB 0003-6951
13. J. T. Torvik, C. H. Qiu, R. J. Feuerstein, J. I. Pankove, and F. Namavar, J. Appl. Phys. 81, 6343 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
14. U. Hömmerich, J. T. Seo, Myo Thaik, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G11.6 (1999). mrj MIJNF7 1092-5783
15. M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, and C. Buchal, Appl. Phys. Lett. 75, 2584 (1999). apl APPLAB 0003-6951
16. S. Kim, R. L. Henry, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, S. J. Rhee, J. O. White, J. M. Myoung, K. Kim, X. Li, J. J. Coleman, and S. G. Bishop, J. Appl. Phys. 90, 252 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
17. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 34, L1332 (1995). jjc JAPLD8 0021-4922
18. L. R. Doolitle, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 9, 344 (1985). nib NIMBEU 0168-583X
19. T. Monteiro, J. Soares, M. R. Correia, and E. Alves, J. Appl. Phys. 89, 6183 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
20. F. Priolo, G. Franzò, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie, and D. Carey, J. Appl. Phys. 78, 3874 (1995). jap JAPIAU 0021-8979
21. A. Taguchi and K. Takahei, J. Appl. Phys. 83, 2800 (1998). jap JAPIAU 0021-8979