Preparation and growth mechanism of lead telluride nanocrystals by a modified molten composite-hydroxides method

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 10, Issue 9, 2010, Pages 5831-5837

  Li, H ^a   Cai, K F ^a   Yin, J L ^b   Wang, H F ^a   Li, X L ^a   Wang, Y Y ^a   Zhou, C W ^a  

^a TONGJI UNIVERSITY   (China)

^b Tongji University   (China)

Author keywords

Lead Telluride; Molten Hydroxides Method; Nanostructures; Semiconductors

Indexed keywords

FORMATION MECHANISM; GROWTH MECHANISMS; GROWTH PROCESS; HIGH-RESOLUTION TEM; LEAD TELLURIDE; MICROPLATES; MOLTEN HYDROXIDES; NANO-MATERIALS; NANOCRYSTAL STRUCTURES; NANOCUBES; ORIENTED ATTACHMENT; PBTE; REACTION TIME; REDUCTANTS; SEM; SEMICONDUCTORS; SIZE AND SHAPE; STARTING MATERIALS; TEM;

LEAD; MORPHOLOGY; NANOCRYSTALS; NANORODS; NANOSHEETS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

EID: 79955380518     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2010.2468     Document Type: Article

References (41)

1. L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 12727 (1993).
2. L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 16631 (1993).
3. J. P. Heremans, C. M. Thrush, D. T. Morelli, and M.-C. Wu, Phys. Rev. Lett. 88, 216801 (2002).
4. R. T. Littleton, T. M. Tritt, C. R. Feger, J. Kolis, M. L. Wilson, M. Marone, J. Payne, D. Verebeli, and F. Levy, Appl. Phys. Lett. 72, 2056 (1998).
5. T. Koga, S. B. Cronin, M. S. Dresselhaus, J. L. Liu, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 11, 1490 (2000).
6. D. Fowler, A. Patane, A. Ignatov, L. Eaves, M. Henini, N. Mori, D. K. Maude, and R. Airey, Appl. Phys. Lett. 88, 0521111 (2006).
7. A. I. Hochbaum, R. K. Chen, R. D. Delgado, W. J. Liang, E. C. Garnett, M. Najarian, A. Majumdar, and P. D. Yang, Nature 451, 163 (2008).
8. A. I. Boukai, Y. Bunimovich, J. Tahir-Kheli, J. K. Yu, W. A. Goddard, and J. R. Heath, Nature 451, 168 (2008).
9. Z. H. Dughaish, Physica B 322, 205 (2002).
10. T. C. Harman, P. J. Taylor, M. P. Walsh, and B. E. LaForge, Science 297, 2229 (2002).
11. W. G. Lu, J. Y. Fang, K. L. Stokes, and J. Lin, J. Amer. Chem. Soc. 126, 11798 (2004).
12. J. E. Murphy, M. C. Beard, A. G. Norman, S. P. Ahrenkiel, J. C. Johnson, P. R. Yu, O. I. Micic, R. J. Ellingson, and A. J. Nozik, J. Amer. Chem. Soc. 128, 3241 (2006).
13. J. P. Zhu, S. H. Yu, Z. B. He, J. Jiang, K. Chen, and X. Y. Zhou, Chem. Commun. 5802 (2005).
14. G. A. Tai, W. L. Guo, and Z. H. Zhang, Cryst. Growth Des. 8, 2906 (2008).
15. H. Li, K. F. Cai, H. F. Wang, L. Wang, J. L. Yin, and C. W. Zhou, J. Solid State Chem. 182, 869 (2009).
16. F. Xiao, B. Yoo, K. N. Bozhilov, K. H. Lee, and N. V. Myung, J. Phys. Chem. C 111, 11397 (2007).
17. G. R. Li, C. Z. Yao, X. H. Lu, F. L. Zheng, Z. P. Feng, X. L. Yu, C. Y. Su, and Y X. Tong, Chem. Mater. 20, 3306 (2008).
18. A. Purkayastha, Q. Y Yan, D. D. Gandhi, H. F. Li, G. Pattanaik, T. Borca-Tasciuc, N. Ravishankar, and G. Ramanath, Chem. Mater. 20, 4791 (2008).
19. M. Fardy, A. I. Hochbaum, J. Goldberger, M. M. Zhang, and P. D. Yang, Adv. Mater. 19, 3047 (2007).
20. T. L. Mokari, M. J. Zhang, and P. D. Yang, J. Amer. Chem. Soc. 129, 9864 (2007).
21. X. F. Qiu, Y B. Lou, A. C. S. Samia, A. Devadoss, J. D. Burgess, S. Dayal, and C. Burda, Angew. Chem., Int. Ed. AA, 5855 (2005).
22. H. Tong, Y J. Zhu, L. X. Yang, L. Li, and L. Zhang, Angew. Chem., Int. Ed. 45, 7739 (2006).
23. W. Z. Wang, B. Poudel, D. Z. Wang, and Z. F. Ren, Adv. Mater. 17,2110(2005).
24. W. K. Ham, G. F. Holland, and A. M. Stacy, J. Amer. Chem. Soc. 110, 5214(1988).
25. D. Sandford, L. N. Marquez, and A. M. Stacy, Appl. Phys. Lett. 67, 422 (1995).
26. J. L. Luce and A. M. Stacy, Chem. Mater. 9, 1508 (1997).
27. C. Shivakumara, M. S. Hegde, K. Sooryanarayana, T. N. G. Row, and G. N. Subbanna, J. Mater. Chem. 8, 2695 (1998).
28. H. Liu, C. G. Hu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 6, 1535 (2006).
29. C. G. Hu, H. Liu, C. S. Lao, L. Y Zhang, D. Davidovic, and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 110, 14050 (2006).
30. C. G. Hu, Y Xi, H. Liu, and Z. L. Wang, J. Mater. Chem. 19, 858 (2009).
31. L. Wang, K. F. Cai, Y Y Wang, J. L. Yin, H. Li, and C. W. Zhou, Ceram. Int. 35, 2499 (2009).
32. Y G. Sun and Y N. Xia, Science 298, 2176 (2002).
33. Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 104, 1153 (2000).
34. S. M. Lee, S. N. Cho, and J. Cheon, Adv. Mater. 15, 441 (2003).
35. R. L. Penn and J. F. Banfield, Science 281, 969 (1998).
36. C. Pacholski, A. Kornowski, and H. Weller, Angew. Chem., Int. Ed. 41, 1188 (2002).
37. J. H. Yu, J. Joo, H. M. Park, S. I. Baik, Y W. Kim, S. C. Kim, and T. Hyeon, J. Amer. Chem. Soc. 127, 5662 (2005).
38. K. S. Cho, D. V. Talapin, W. Gaschler, and C. B. Murray, J. Amer. Chem. Soc. 127, 7140 (2005).
39. J. Polleux, N. Pinna, M. Antonietti, and M. Niederberger, Adv. Mater. 16, 436 (2004).
40. B. A. Korgel and D. Fitzmaurice, Adv. Mater. 10, 661 (1998).
41. J. J. Urban, D. V. Talapin, E. V. Shevchenko, and C. B. Murray, J. Amer. Chem. Soc. 128, 3248 (2006).