Analysis of mechanisms of carrier emission in the p-i-n structures with In(Ga)As quantum dots

Semiconductors

Volumn 44, Issue 10, 2010, Pages 1308-1312

  Shatalina, E S ^a   Blokhin, S A ^a,b   Nadtochy, A M ^a   Payusov, A S ^a   Savelyev, A V ^a   Maximov, M V ^a,b   Zhukov, A E ^a   Ledentsov, N N ^b   Kovsh, A R ^c   Mikhrin, S S ^c   Ustinov, V M ^c  

^a ST PETERSBURG ACADEMIC UNIVERSITY   (Russian Federation)

^b IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^c INNOLUME GMBH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 77957978740     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/S106378261010012X     Document Type: Article

References (15)

1. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Y. Egorov, and N. A. Maleev, Quantum Dot Lasers (Oxford Univ., Oxford, UK, 2003).
2. V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan, and K. Touryan, J. Appl. Phys. 89, 2268 (2001).
3. S. A. Blokhin, A. V. Sakharov, A. M. Nadtochii, A. S. Payusov, M. V. Maksimov, N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyi, and M. Z. Shvarts, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 43, 537 (2009) [Semiconductors 43, 514 (2009)].
4. P. W. Fry, I. E. Itskevich, S. R. Parnell, J. J. Finley, L. R. Wilson, K. L. Schumacher, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, M. Al-Khafaji, A. G. Cullis, M. Hopkinson, J. C. Clark, and G. Hill, Phys. Rev. B 62, 16784 (2000).
5. W.-H. Chang, T. M. Hsu, C. C. Huang, S. L. Hsu, C. Y. Lai, N. T. Yeh, T. E. Nee, and J.-I. Chyi, Phys. Rev. B 62, 6959 (2000).
6. A. V. Savel'ev, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, and R. P. Seisyan, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 88 (2006) [Semiconductors 40, 84 (2006)].
7. P. N. Brunkov, A. Patané, A. Levin, L. Eaves, P. C. Main, Yu. G. Musikhin, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, and S. G. Konnikov, Phys. Rev. B 65, 085326 (2002).
8. P. W. Fry, J. J. Finley, L. R. Wilson, A. Lemaitre, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, G. Hill, and J. C. Chark, Appl. Phys. Lett. 77, 4344 (2000).
9. S. C. McFarlane, J. Barnes, K. W. J. Barham, E. S. M. Tsui, C. Button, and J. S. Roberts, J. Appl. Phys. 86, 5109 (1999).
10. D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).
11. G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).
12. N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, S. A. Blokhin, M. V. Maksimov, E. S. Semenova, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1230 (2005) [Semiconductors 39, 1188 (2005)].
13. D. S. Sizov, Yu. B. Samsonenko, G. É. Cirlin, N. K. Polyakov, V. A. Egorov, A. A. Tonkikh, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, Yu. G. Musikhin, A. F. Tsatsul'nikov, V. M. Ustinov, and N. N. Ledentsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 37, 578 (2003) [Semiconductors 37, 559 (2003)].
14. E. C. Le Ru, J. Fack, and R. Murray, Phys. Rev. B 67, 245318 (2003).
15. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedtler, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996).