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Volumn 84, Issue 5, 2010, Pages 547-552

Pentacene thin film transistors using La2O3 as gate insulator

Author keywords

Hole concentration; Mobility; ON OFF ratio; OTFT; Sub threshold swing

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EID: 77957941909     PISSN: 09731458     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s12648-010-0045-8     Document Type: Article
Times cited : (8)

References (13)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.