Hysteresis reversion in graphene field-effect transistors

Journal of Chemical Physics

Volumn 133, Issue 4, 2010, Pages

  Liao, Zhi Min ^a   Han, Bing Hong ^a   Zhou, Yang Bo ^a   Yu, Da Peng ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

TEMPERATURE DEPENDENT; TRAPPING/DETRAPPING;

GRAPHENE; HYSTERESIS; MESFET DEVICES; SILICON COMPOUNDS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 77955694013     PISSN: 00219606     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3460798     Document Type: Article

References (19)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science SCIEAS 0036-8075 306, 666 (2004). 10.1126/science.1102896
2. C. Berger, Z. M. Song, T. B. Li, X. B. Li, A. Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. T. Dai, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. Heer, J. Phys. Chem. B JPCBFK 1089-5647 108, 19912 (2004). 10.1021/jp040650f
3. I. Meric, M. Y. Han, A. F. Young, B. Ozyilmaz, P. Kim, and K. L. Shepard, Nat. Nanotechnol. NNAABX 1748-3387 3, 654 (2008). 10.1038/nnano.2008.268
4. K. S. Novoselov, Z. Jiang, Y. Zhang, S. V. Morozov, H. L. Stormer, U. Zeitler, J. C. Maan, G. S. Boebinger, P. Kim, and A. K. Geim, Science SCIEAS 0036-8075 315, 1379 (2007). 10.1126/science.1137201
5. Y. B. Zhang, Y. W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, Nature (London) NATUAS 0028-0836 438, 201 (2005). 10.1038/nature04235
6. X. Wang, Y. Ouyang, X. Li, H. Wang, J. Guo, and H. Dai, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 100, 206803 (2008). 10.1103/PhysRevLett.100.206803
7. R. V. Gorbachev, F. V. Tikhonenko, A. S. Mayorov, D. W. Horsell, and A. K. Savchenko, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 98, 176805 (2007). 10.1103/PhysRevLett.98.176805
8. S. Adam and S. D. Sarma, Solid State Commun. SSCOA4 0038-1098 146, 356 (2008). 10.1016/j.ssc.2008.03.021
9. Y. M. Shi, W. J. Fang, K. K. Zhang, W. J. Zhang, and L. J. Li, Small SMALBC 1613-6810 5, 2005 (2009). 10.1002/smll.200900294
10. Y. Dan, Y. Lu, N. J. Kybert, Z. Luo, and A. T. C. Johnson, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 9, 1472 (2009). 10.1021/nl8033637
11. I. Jung, D. A. Dikin, S. Park, W. Cai, S. L. Mielke, and R. S. Ruoff, J. Phys. Chem. C JPCCCK 1932-7447 112, 20264 (2008). 10.1021/jp807525d
12. I. Jung, D. A. Dikin, R. D. Piner, and R. S. Ruoff, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 8, 4283 (2008). 10.1021/nl8019938
13. M. S. Fuhrer, B. M. Kim, T. Drkop, and T. Brintlinger, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 2, 755 (2002). 10.1021/nl025577o
14. A. Vijayaraghavan, S. Kara, C. Soldano, S. Talapatra, O. Nalamasu, and P. M. Ajayan, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 89, 162108 (2006). 10.1063/1.2362586
15. S. A. McGill, S. G. Rao, P. Manandhar, P. Xionga, and S. Hong, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 89, 163123 (2006). 10.1063/1.2364461
16. W. Kim, A. Javey, O. Vermesh, Q. Wang, Y. Li, and H. J. Dai, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 3, 193 (2003). 10.1021/nl0259232
17. L. M. Malard, M. A. Pimenta, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rep. PRPLCM 0370-1573 473, 51 (2009). 10.1016/j.physrep.2009.02.003
18. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S. Novoselov, S. Roth, and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 97, 187401 (2006). 10.1103/PhysRevLett.97.187401
19. N. E. Staley, C. P. Puls, and Y. Liu, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 77, 155429 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.155429