Seeded growth of bulk ZnO by chemical vapor transport

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 247, Issue 6, 2010, Pages 1457-1459

  Skupiński, Paweł ^a   Grasza, Krzysztof ^a,b   Mycielski, Andrzej ^a   Paszkowicz, Wojciech ^a   Łusakowska, Elzbieta ^a   Tymicki, Emil ^b   Jakieła, Rafał ^a   Witkowski, Bartłomiej ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

^b ukasiewicz Research Network Institute of Microelectronics and Photonics   (Poland)

Author keywords

Crystal defects; Crystal growth; II VI semiconductors

Indexed keywords

EID: 77954165883     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200983232     Document Type: Article

References (7)

1. K. Grasza and A. Mycielski, Phys. Status Solidi C 2, 1115 (2005).
2. K. Grasza, P. Skupiński, A. Mycielski, E. Łusakowska, and V. Domukhovski, J. Cryst. Growth 310, 1823 (2008).
3. W. Palosz, J. Cryst. Growth 286, 42 (2006).
4. W.-J. Li, E.-W. Shi, W.-Z. Zhong, and Z.-W. Yin, J. Cryst. Growth 203, 186 (1999).
5. T. A. Kuhr, E. K. Sanchez, M. Skowronski, W. M. Vetter, and M. Dudley, J. Appl. Phys. 89, 4625 (2001).
6. J. Liu, J. Gao, J. Cheng, J. Yang, and G. Qiao, Mater. Lett. 59, 2374 (2005).
7. K. Grasza, R. Schwarz, M. Laasch, K. W. Benz, and M. Palowska, J. Cryst. Growth 151, 261 (1995).