Microwave responses and general model of nanotetraneedle ZnO: Integration of interface scattering, microcurrent, dielectric relaxation, and microantenna

Journal of Applied Physics

Volumn 107, Issue 5, 2010, Pages

  Fang, Xiao Yong ^a,b   Cao, Mao Sheng ^b   Shi, Xiao Ling ^b   Hou, Zhi Ling ^b   Song, Wei Li ^b   Yuan, Jie ^c  

^a YANSHAN UNIVERSITY   (China)

^b BEIJING INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (China)

^c MINZU UNIVERSITY OF CHINA   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATTENUATION ,; EFFECT FACTORS; ENERGY ATTENUATION; FREQUENCY RANGES; GENERAL MODEL; GEOMETRICAL STRUCTURE; INTERFACE SCATTERING; MICROWAVE ABSORPTION; MICROWAVE ABSORPTION PROPERTIES; MICROWAVE RESPONSE; NEEDLE LENGTH; OPTIMAL MICROWAVE; PHYSICAL PARAMETERS; QUANTITATIVE FORMULA; WIDE FREQUENCY RANGE; ZNO;

ABSORPTION; DIELECTRIC RELAXATION; MICROWAVES; NEEDLES; SCATTERING; SILICON COMPOUNDS;

ZINC OXIDE;

EID: 77949684475     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3295912     Document Type: Article

References (60)

1. A. H. MacDonald, P. Schiffer, and N. Samarth, Nature Mater. 4, 195 (2005).
2. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
3. M. J. Lockyear, A. P. Hibbins, J. R. Sambles, P. A. Hobson, and C. R. Lawrence, Appl. Phys. Lett. 94, 041913 (2009).
4. A. Zaoui and W. Sekkal, Phys. Rev. B 66, 174106 (2002).
5. M. Zamfirescu, A. Kavokin, B. Gil, G. Malpuech, and M. Kaliteevski, Phys. Rev. B 65, 161205 (2002).
6. Y. Noel, M. Llunell, R. Orlando, P. D'Arco, and R. Dovesi, Phys. Rev. B 66, 214107 (2002).
7. S. Babaei and M. Sh. Solari, J. Appl. Phys. 104, 124315 (2008).
8. Q. Wan, K. Yu, T. H. Wang, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 83, 2253 (2003).
9. L. Guo, Y. L. Ji, and H. B. Xu, J. Am. Chem. Soc. 124, 14864 (2002).
10. Y. W. Zhu, H. Z. Zhang, X. C. Sun, S. Q. Feng, J. Xu, Q. Zhao, B. Xiang, R. M. Wang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 83, 144 (2003).
11. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
12. X. Y. Kong and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 975 (2004).
13. X. Y. Kong, Y. Ding, R. S. Yang, and Z. L. Wang, Science 303, 1348 (2004).
14. W. L. Hughes and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 126, 6703 (2004).
15. J. J. Wu, S. C. Liu, C. T. Wu, K. H. Chen, and L. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 81, 1312 (2002).
16. Y. N. Zhao, M. S. Cao, J. G. Li, and Y. J. Chen, Mater. Res. Bull. 40, 1745 (2005).
17. Y. N. Zhao, M. S. Cao, H. B. Jin, L. Zhang, and C. J. Qiu, Scr. Mater. 54, 2057 (2006).
18. Y. N. Zhao, M. S. Cao, H. B. Jin, X. L. Shi, X. Li, and S. Agathopoulos, J. Nanosci. Nanotechnol. 6, 2525 (2006).
19. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001).
20. W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
21. L. Vayssieres, K. Keis, S. E. Lindquist, and A. Hagfeldt, J. Phys. Chem. B 105, 3350 (2001).
22. M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li, and W. Z. Shen, Chem. Phys. Lett. 363, 123 (2002).
23. L. K. van Vugt, S. Ruhle, P. Ravindran, H. C. Gerritsen, L. Kuipers, and D. Vanmaekelbergh, Phys. Rev. Lett. 97, 147401 (2006).
24. C. Q. Chen, Y. Shi, Y. S. Zhang, J. Zhu, and Y. J. Yan, Phys. Rev. Lett. 96, 075505 (2006).
25. R. P. Wang, G. Xu, and P. Jin, Phys. Rev. B 69, 113303 (2004).
26. I. Shalish, H. Temkin, and V. Narayanamurti, Phys. Rev. B 69, 245401 (2004).
27. J. Grabowska, A. Meaney, K. K. Nanda, J. P. Mosnier, M. O. Henry, J. R. Duclere, and E. McGlynn, Phys. Rev. B 71, 115439 (2005).
28. Y. C. Wang, I. C. Leu, and M. H. Hon, J. Appl. Phys. 95, 1444 (2004).
29. F. Jones, F. Leonard, A. A. Talin, and N. S. Bell, J. Appl. Phys. 102, 014305 (2007).
30. K. Subannajui, D. S. Kim, and M. Zacharias, J. Appl. Phys. 104, 014308 (2008).
31. A. Gupta, M. Omari, and N. Kouklin, J. Appl. Phys. 103, 124312 (2008).
32. S. W. Liu, H. J. Zhou, A. Ricca, R. Tian, and M. Xiao, Phys. Rev. B 77, 113311 (2008).
33. L. X. Sun, Z. H. Chen, Q. J. Ren, K. Yu, L. H. Bai, W. H. Zhou, H. Xiong, Z. Q. Zhu, and X. C. Shen, Phys. Rev. Lett. 100, 156403 (2008).
34. W. D. Cheng, P. Wu, X. Q. Zou, and T. Xiao, J. Appl. Phys. 100, 054311 (2006).
35. Y. F. Hsu, Y. Y. Xi, C. T. Yip, A. B. Djurisic, and W. K. Chan, J. Appl. Phys. 103, 083114 (2008).
36. Y. Liu, T. Tan, B. Wang, X. M. Song, E. Li, H. Wang, and H. Yan, J. Appl. Phys. 103, 056104 (2008).
37. Y. J. Chen, M. S. Cao, T. H. Wang, and Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 84, 3367 (2004).
38. M. S. Cao, X. L. Shi, X. Y. Fang, H. B. Jin, Z. L. Hou, W. Zhou, and Y. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 91, 203110 (2007).
39. X. Y. Fang, X. L. Shi, M. S. Cao, and J. Yuan, J. Appl. Phys. 104, 096101 (2008).
40. Z. W. Zhou, L. S. Chu, and S. C. Hu, Mater. Sci. Eng., B 126, 93 (2006).
41. L. Li, Z. W. Zhou, X. Wang, W. Huang, Y. He, and M. L. Yang, Phys. Chem. Chem. Phys. 10, 6829 (2008).
42. X. G. Liu, D. Y. Geng, P. J. Shang, H. Meng, F. Yang, B. Li, D. J. Kang, and Z. D. Zhang, J. Phys. D 41, 175006 (2008).
43. X. G. Liu, D. Y. Geng, H. Meng, P. J. Shang, and Z. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 92, 173117 (2008).
44. G. Z. Liu, L. Wang, and J. Zhou, Ferroelectrics 356, 225 (2007).
45. R. F. Zhuo, H. T. Feng, Q. Liang, J. Z. Liu, J. T. Chen, D. Yan, J. J. Feng, H. J. Li, S. Cheng, B. S. Geng, X. Y. Xu, J. Wang, Z. G. Wu, P. X. Yan, and G. H. Yue, J. Phys. D 41, 185405 (2008).
46. R. F. Zhuo, L. Qiao, H. T. Feng, J. T. Chen, D. Yan, Z. G. Wu, and P. X. Yan, J. Appl. Phys. 104, 094101 (2008).
47. R. F. Zhuo, H. T. Feng, J. T. Chen, D. Yan, J. J. Feng, H. J. Li, B. S. Geng, S. Cheng, X. Y. Xu, and P. X. Yan, J. Phys. Chem. C 112, 11767 (2008).
48. Y. Zhou, X.-L. Shi, J. Yuan, X.-Y. Fang, and M.-S. Cao, Chin. Phys. Lett. 24, 3264 (2007).
49. X.-L. Shi, J. Yuan, W. Zhou, J.-L. Rong, and M.-S. Cao, Chin. Phys. Lett. 24, 2994 (2007).
50. L. Guo, M. G. Fu, Y. Q. Wan, and J. W. Zhong, Chin. J. Inorg. Chem. 23, 1251 (2007).
51. J. Cao, W. Fu, H. B. Yang, Q. J. Yu, Y. Y. Zhang, S. K. Liu, P. Sun, X. M. Zhou, Y. Leng, S. M. Wang, B. B. Liu, and G. T. Zou, J. Phys. Chem. B 113, 4642 (2009).
52. X. G. Liu, J. J. Jiang, D. Y. Geng, B. Q. Li, Z. Han, W. Liu, and Z. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 94, 053119 (2009).
53. Z. Chen, Z. W. Shan, M. S. Cao, L. Lu, and S. X. Mao, Nanotechnology 15, 365 (2004).
54. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
55. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
56. W. L. Song, M. S. Cao, Z. L. Hou, X. Y. Fang, X. L. Shi, and J. Yuan, Appl. Phys. Lett. 94, 233110 (2009).
57. B. S. Gurn and H. R. Hiziroǧlu, Electromagnetic Field Theory Fundamentals (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 2004).
58. J. I. Hong, L. S. Schadler, R. W. Siegel, and E. Martensson, Appl. Phys. Lett. 82, 1956 (2003).
59. J. Zhong, S. Muthukumar, Y. Chen, Y. Lu, H. M. Ng, W. Jiang, and E. L. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 83, 3401 (2003).
60. D. Weissenberger, M. Dürrschnabel, D. Gerthsen, F. Perez-Willard, A. Reiser, G. M. Prinz, M. Feneberg, K. Thonke, and R. Sauer, Appl. Phys. Lett. 91, 132110 (2007).