High figure of merit in nanostructured n-type KPbmSbTe m+2 thermoelectric materials

Chemistry of Materials

Volumn 22, Issue 3, 2010, Pages 1046-1053

  Poudeu, Pierre F P ^a   Guéguen, Aurélie ^a   Wu, Chun I ^c   Hogan, Tim ^c   Kanatzidis, Mercouri G ^a,b  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

^b ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c Michigan State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL CONDUCTIVITY; FIGURE OF MERIT; FIGURES OF MERITS; HIGH TEMPERATURE; LATTICE THERMAL CONDUCTIVITY; LORENZ NUMBER; MATRIX; N-TYPE CONDUCTION; NANO INCLUSION; NANO-STRUCTURED; NANOSCALE PARTICLES; PBTE; SIZE AND SHAPE; SMALL SIZE; TEMPERATURE RANGE; THERMOELECTRIC MATERIAL; THERMOELECTRIC PERFORMANCE; THERMOELECTRIC PROPERTIES;

ANTIMONY; CARBON FIBER REINFORCED PLASTICS; CRYSTAL LATTICES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; LEAD; POTASSIUM; TELLURIUM; TELLURIUM COMPOUNDS; THERMAL CONDUCTIVITY; THERMOANALYSIS; THERMOELECTRIC EQUIPMENT; THERMOELECTRICITY;

HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

EID: 76249093913     PISSN: 08974756     EISSN: 15205002     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm902001c     Document Type: Article

References (40)

1. el.
2. Kim, W.: Zide, J.; Gossard, A.; Klenov, D.; Stemmer, S.; Shakouri, A.; Majumdar, A. phys, Rev, Lett. 2006, 96, 045901.
3. Poudeu, P. F. P.; DAngelo, J.; Kong, H.; Downey, A. D.: Short, J. L.; Pcionek, R.: Hogan, T. P.; Uher, C.; Kanatzidis, M. G. J. Am. Chem. Soc. 2006, 126, 14347-14355.
4. Hsu, K. F.; Loo, S.; Guo, F.; Chen, W.; Dyck, J. S.; Uher, C.; Hogan, T.: Polychroniadis, E. K.; Kanatzidis, M. G. Science 2004, 303, 818-821.
5. Quarez, E.; Hsu, K. F.: Pcionek, R.; Frangis, N.: Polychroniadis, E. K.; Kanatzidis, M. G. J. Am. Chem, Soc. 2005, 127, 9177-9190.
6. Nolas, G. S.; Poon. J.; Kanatzidis, M. MRS Bull. 2006, 31, 199-205.
7. Sootsman, J. R.; Pcionek, R. J.: Kong, H.; Uher, C.; Kanatzidis, M. G. Chem. Mater. 2006, 18, 4993-4995.
8. Chen. G. J. Heat Trans. (Transactions of the ASME) 1997, 119, 220-229.
9. Koh, Y. K.; Vineis, C. J.: Calawa. S. D.: Walsh. M. P.;Cahill, D. G. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 153101.
10. Minnich, A. J.; Dresselhaus, M. S.; Ren, Z. F.; Chen, G. Energv Environ. Sci. 2009, 2, 466-479.
11. Poudel. B.: Hao. Q.: Ma, Y.; Lan, Y. C: Minnich, A.: Yu, B.; Yan, X.; Wang, D. Z.; Muto, A.; Vashaee, D.; Chen, X. Y.; Liu, J. M.; Dresselhaus, M. S.; Chen. G.: Ren, Z. Science 2008, 320, 634-638.
12. Androulakis, J.; Hsu, K. F.; Pcionek, R.; Kong, H.; Uher, C.; Dangelo. J. J.: Downey, A.; Hogan. T.: Kanatzidis, M. G. Adv. Mater. 2006, 18, 1170-+
13. Androulakis, J.; Lin, C. H.; Kong, II. J.; Uher. C.; Wu, C. I.; Hogan, T.: Cook, B. A.; Caillat, T.; Paraskevopoulos, K. M.; Kanatzidis, M. G. J. Am Chem. Soc. 2007, 129, 9780-9788.
14. Poudeu, P. F. P.; D'Angelo, J.: Downey, A. D.; Short, J. L.; Hogan, T. P.: Kanatzidis, M. G. Angew. Chem..Int. Ed. 2006, 45, 3835.
15. Bux, S. K.; Blair, R. G.; Pawan, K.; Gogna, P. K.; Lee, H.; Chen, G.; Dresselhaus, M. S.; Kaner. R. B.; Fleurial, J. P. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2445-2452.
16. Heremans, J. P.: Thrush, C. M.; Morelli. D. T. J. Appl. Phys. 2005, 98.
17. Salamancayoung, L.; Partin, D. L.: Heremans, J. J. Annl. Phys. 1988, 63, 1504-1508.
18. Ikeda, T.; Ravi, V. A.: Collins, L. A.: Haile, S. M.; Snyder, G. J. J. Electron, Mater, 2007, 36, 716-720.
19. Han. M. K.; Hoang, K.; Kong, H. J.; Pcionek, R.; Uher, C.; Paraskevopoulos, K. M.: Mahanti. S. D.: Kanatzidis. M. G. Chem. Mater. 2008, 20, 3512-3520.
20. Zhou, M.: Li, J. F.; Kita. T. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 4527-4532.
21. Wang, H.: Li, J. F.: Nan, C. W.: Zhou, M.: Liu, W. S.; Zhang, B. P.; Kita, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 88.
22. Gueguen. A.; Poudeu. P. F. P.: Li, C. P.; Moses, S.; Uher, C.; He, J. Q.; Dravid, V.; Paraskevopoulos. K. A.; Kanatzidis, M. G. Chem. Mater. 2009, 21, 1683-1694.
23. Heremans, J. P.: Jovovic, V.; Toberer, E. S.; Saramat, A.; Kurosaki, K.; Charoenphakdec, A.: Yamanaka, S.: Snyder. G. J. Science 2008, 321. 554-557.
24. Ahmad, S.; Mahanti, S. D.; Hoang, K.; Kanatzidis, M. G. Phys. Rev. B 2006, 74, 155205.
25. Bile. D.; Mahanti, S. D.; Hsu, K. F.; Quarez, Q.; Pcionek, R.; and Kanatzidis. M. G. Phys. Rev. Lett. 2004, 93(14), 146403/1-146403/4.
26. Cook, B. A.; Kramer. M. J.; Harringa, J. L.; Han, M. K.; Chung, D. Y.; Kanatzidis. M. G. Adv. Fuct. Mater. 2009, 19, 1254-1259.
27. Chondroudis, K.: McCarthy, T. J.: Kanatzidis. M. G. Inorg. Chem. 1996, 35, 840-844.
28. Stephan. II. O.; Kanatzidis, M. G. Inorg. Chem. 1997, 36, 6050-6057.
29. Loo, S.; Short, J.; Hsu, K. F.; Kanatzidis, M.; Hogan, T. Mater. Res. Soc., symp. Proc.- 2004, 793, 375-383.
30. Bouad, N.: Chapon, L.; Marin-Ayral, R. M.: Bouree-Vigneron, F.; Tedenac, J. C. J. Solid. State Chem. - 2003, 173, 189-195.
31. Shannon, R. D. Acta Crystallogr. Sct. A 1976, 32, 751-767.
32. Koppensteiner. E.; Springholz, G.; Hamberger, P.; Bauer, G. J. Appl. Phys. 1993, 74. 6062-6071.
33. Martin, J.; Nolas, G. S.; Zhang. W.; Chen, L. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 222112.
34. Orihashi, M.: Noda. Y.: Kaibe. H. T.: Nishida, I. A. Mater. Trans. 1998, 39, 672-678.
35. Orihashi. M.: Noda. Y.: Chen, L.: Hirai, T. J. Jan. Inst. Met. 1999, 63, 1423-1428.
36. Orihashi, M.; Noda, Y.; Chen, L. D.; Mirai, T. Mater. Trans. 2000, 41, 1282-1286.
37. Orihashi, M.: Noda, Y.; Chen, L. D.; Mirai, T. Mater Trans. 2000, 41. 1196-1201.
38. Devyatko. E.; Tikhonov. V. V. Soviet Physics Solid State. USSR 1965, 7, 1427-+.
39. Ravich, Y. I.; Efimova, B. A.; Smirov, I. A. Semiconducting Lead Chalcogenides; Plenum Press: New York, 1970: p 155.
40. Sootsman, J. R.; Kong. H. J.: Uher, C; D'Angelo, J. J.; Wu, C. I.; Hogan, T. P.; Caillat, T.; Kanatzidis, M.G. Angew. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 8618-8622.