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Volumn 1199, Issue , 2009, Pages 108-109

Energy levels of candidate defects at SiC/SiO2 interfaces

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Band gap; Defects; SiC SiO2 interface

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EID: 74849095908     PISSN: 0094243X     EISSN: 15517616     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1063/1.3295319     Document Type: Conference Paper
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References (4)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.