Comparison of the dilute bismide and nitride alloys GaAsBi and GaAsN

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 246, Issue 3, 2009, Pages 504-507

  Mascarenhas, Angelo ^a   Kini, Rajeev ^a   Zhang, Yong ^a   France, Ryan ^a   Ptak, Aaron ^a  

^a NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 70449427297     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200880547     Document Type: Article

References (27)

1. Y. Zhang, A. Mascarenhas, and L. W. Wang, Phys. Rev. B 71, 155201 (2005).
2. Y. Zhang, B. Fluegel, M. C. Hanna et al., Phys. Status Solidi B 240, 396 (2003).
3. D. G. Thomas and J. J. Hopfield, Phys. Rev. 150, 680 (1966).
4. F. A. Trumbore, M. Gershenzon, and D. G. Thomas, Appl. Phys. Lett. 9, 4 (1969).
5. D. J. Wolford, J. A. Bradley, K. Fry et al., in: Proceedings of the 17th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, edited by J. D. Chadi and W. A. Harrison (Springer, New York, 1984), p. 627.
6. A. Janotti, S. H. Wei, and S. B. Zhang, Phys. Rev. B 65, 115203 (2002).
7. Z. L. Fang, F. H. Su, B. S. Ma et al., Appl. Phys. Lett. 81, 3170 (2002).
8. S. H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. B 60, 5404 (1999).
9. Y.-H. Li, X. G. Gong, and S.-H. Wei, Phys. Rev. B 73, 245206 (2006).
10. J. D. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang et al., Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999).
11. B. Fluegel, S. Francoeur, A. Mascarenhas et al., Phys. Rev. Lett. 97, 067205 (2006).
12. X. Liu, M. E. Pistol, L. Samuelson et al., Appl. Phys. Lett. 56, 1451 (1990).
13. S. Francoeur, S. Tixier, E. Young et al., Phys. Rev. B 77, 085209 (2008).
14. H. Kunzel and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 37, 416 (1980).
15. Y. Makita, T. Nomura, M. Yokota, T. Matsumor, T. Izumi, Y. Takeuchi, and K. Kudo, Appl. Phys. Lett. 47, 623 (1985).
16. M. S. Skolnick, T. D. Harris, C. W. Tu, T. M. Brennan, and M. D. Sturge, Appl. Phys. Lett. 46, 427 (1985).
17. D. C. Reynolds, K. K. Bajaj, C. W. Litton, G. Peters, P. W. Yu, R. Fisher, D. Huang, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 60, 2511 (1986).
18. T. Steiner, M. L. W. Thewalt, E. S. Koteles, and J. P. Salerno, Appl. Phys. Lett. 47, 257 (1985).
19. L. Eaves, M. S. Skolnick, and D. P. Halliday, J. Phys. C, Solid State Phys. 19, L445 (1986).
20. S. Charbonneau, T. Steiner, and M. L. W. Thewalt, Phys. Rev. B 41, 2861 (1990).
21. A. C. Beye and G. Neu, J. Appl. Phys. 58, 3549 (1985).
22. D. G. Thomas and J. J. Hopfield, Phys. Rev. 150, 680 (1966).
23. D. G. Thomas, M. Gershenzon, and F. A. Trumbore, Phys. Rev. 133, A269 (1964).
24. J. Shen, S. Y. Ren, and J. D. Dow, Phys. Rev. B 42, 9119 (1990).
25. Y. Zhang, B. Fluegel, M. C. Hanna, A. Mascarenhas, L. Wang, Y. J. Wang, and X. Wei, Phys. Rev. B 68, 075210 (2003).
26. P. J. Dean, J. D. Cuthbert, and R. T. Lynch, Phys. Rev. 179, 754 (1969).
27. M. Tajima and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 15, 273 (1976).