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Nanoscale Research Letters

Volumn 4, Issue 8, 2009, Pages 828-833

Tin oxide nanowires: The influence of trap states on ultrafast carrier relaxation

(3) Othonos, Andreas a Zervos, Matthew a Tsokkou, Demetra a

a UNIVERSITY OF CYPRUS (Cyprus)

Author keywords

Carrier dynamics; Chemical vapour deposition; Differential absorption spectroscopy; SnO 2 nanowires

Indexed keywords

ABSORPTION BAND; AUGER RECOMBINATION; BAND EDGE; BAND GAPS; CARRIER DYNAMICS; CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION; DEEP TRAPS; DIFFERENTIAL ABSORPTION; DIFFERENTIAL ABSORPTION SPECTROSCOPY; FLUENCES; PHOTOGENERATED CARRIERS; PICOSECONDS; RECOMBINATION PROCESS; SHALLOW TRAPS; SNO 2 NANOWIRES; STEADY STATE; TIME RESOLVED MEASUREMENT; TIN OXIDE NANOWIRES; TRANSMISSION MEASUREMENTS; TRAP STATE; ULTRAFAST CARRIER RELAXATION; ULTRAFAST RELAXATION DYNAMICS; VAPOR-LIQUID;

ABSORPTION; AUGERS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DYNAMICS; ELECTRIC WIRE; ENERGY GAP; NANOWIRES; OPTICAL PROPERTIES; TIN;

ABSORPTION SPECTROSCOPY;

EID: 70349985981 PISSN: 19317573 EISSN: 1556276X Source Type: Journal
DOI: 10.1007/s11671-009-9323-9 Document Type: Article

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