Improved thermoelectric properties of cu-doped quaternary chalcogenides of Cu2CdSnSe4

Advanced Materials

Volumn 21, Issue 37, 2009, Pages 3808-3812

  Liu, Min Ling ^a   Chen, I Wei ^b   Huang, Fu Qiang ^a   Chen, Li Dong ^a  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS   (China)

^b UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COPPER COMPOUNDS; INORGANIC COMPOUNDS;

CU-DOPED; LATTICE THERMAL CONDUCTIVITY; QUATERNARY CHALCOGENIDES; THERMOELECTRIC PROPERTIES;

THERMOELECTRICITY;

EID: 70349971169     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200900409     Document Type: Article

References (31)

1. R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn, Nature 2001, 413, 597.
2. T. C. Harman, P. J. Taylor, M. P. Walsh, B. E. LaForge, Science 2002, 297, 2229.
3. B. Poudel, Q. Hao, Y. Ma, Y. C. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Z. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Y. Chen, J. M. Liu, M. S. Dresselhaus, G. Chen, Z. F. Ren, Science 2008, 320, 634.
4. M. Fardy, A. I. Hochbaum, J. Goldberger, M. M. Zhang, P. Yang, Adv. Mater. 2007, 19, 3047.
5. J. R. Sootsman, H. Kong, C. Uher, J. J. D'Angelo, C. Wu, T. P. Hogan, T. Cailla, M. G. Kanatzidis, Angew. Chem. 2008, 47, 8618.
6. C. J. Snyder, E. S. Toberer, Nat. Mater. 2008, 7, 105.
7. M. L. Liu, Y. M. Wang, F. Q. Huang, L. D. Chen, W. D. Wang, Ser. Mater. 2007, 57, 1133.
8. M. L. Liu, F. Q. Huang, L. D. Chen, Y. M. Wang, Y. H. Wang, C. F. Li, Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 072109.
9. M. L. Liu, F. Q. Huang, L. D. Chen, Scr. Mater. 2008, 58, 1002.
10. J. Rivet, O. Corochov, J. Flahaut, C. R. Acad. Sci. 1965, 260, 178.
11. L. I. Berger, N. A. Bulyonkov, Izv. Akad. Nauk U. S. S. R. Phys. 1964, 28, 1100.
12. H. Schäfer, Annu. Rev. Mater. Sci. 1985, 15, 1.
13. S. Paschen, V. Pacheco, A. Bentien, A. Sanchez, W. Carrillo-Cabrera, M. Baenitz, B. B. Iversen, Y. Crin, F. Steglich, Phys. B 2003, 328, 39.
14. X. J. wang, M. B. Tang, J. T. Zhao, H. H. Chen, X. X. Yang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 232107.
15. H. Matsushita, T. Maeda, A. Katsui, T.Takizawa, J. Cryst. Growth 2000, 208, 416.
16. P. Larson, S. D. Mahanti, M. C. Kanatzidis, Phys. Rev. B 2000, 61, 8162.
17. G. S. Nolas, J. Sharp, H. J. Goldsmid, Thermoeleetrics: Basic Principles and New Materials Developments, Springer, New York 2001, Ch. 5.
18. B. Poudel, Q. Hao, Y. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Chen, J. Liu, M. S. Dresselhaus, G. Chen, Z. Ren, Science 2008, 320, 634.
19. J. O. Sofo, G. D. Mahan, Phys. Rev. B 1998, 58, 15620.
20. Y. Z. Pei, L. D. Chen, W. Zhang, X. Shi, S. Q. Bai, X. Y. Zhao, Z. G. Mei, X. Y. Li, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 221107.
21. X. Shi, H. Kong, C.-P. Li, C. Uher, J. Yang, J. R. Salvador, H. Wang, L. Chen, W. Zhang, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 182101.
22. C. Keffert, T. M. Hayes, A. Bienenstock, Phys. Rev. Lett. 1968, 21, 1676.
23. T. C. Su, X. P. Jia, H. A. Ma, J. G. Cuo, Y. P. Jiang, N. Dong, L. Deng, X. B. Zhao, T. J. Zhu, C. Wei J. Alloys Compd. 2009, 468, 410.
24. J. P. Heremans, V. Jovovic, E. S. Toberer, A. Saramat, K. Kurosaki, A. Charoenphakdee, S. Yamanaka, C. J. Snyder, Science 2008, 321, 554.
25. M. L. Liu, L. B. Wu, F. Q. Huang, L. D. Chen, J. A. Ibers J. Solid State Chem. 2007, 180, 62.
26. D. Bérardan, E. Alleno, C. Codart, M. Puyet, B. Lenoir, R. Lackner, E. Bauer, L Girard, D. Ravot J. Appl. Phys. 2005, 98, 33710.
27. L. Huang, X. F. Li, Q. Zhang, W. N. Miao, L. Zhang, X. J. Yan, Z. J. Zhang, Z. Y. Hua J. Vac. Sci. Technol. A 2005, 23, 1350.
28. L. I. Berger, Semiconductor Materials, CRC Press, 1997, Ch. 6.
29. C. V. Vajenine, R. Hoffmann, Inorg. Chem. 1996, 35, 451.
30. A. A. Voskanyan, P. N. Inglizyan, S. P. Lalykin, I. A. Plyutto, Y. M. Shevchenko, Fiz. Tekhnol. Poluprovodn. 1978, 12, 2096.
31. D. Y. Chung, T. Hogan, P. Brazis, M. Rocci-Lane, C. Kannewurf, M. Bastea, C. Uher, M. C. Kanatzidis, Science 2000, 287, 1024.