Phase transformation studies of metal oxide nanowires

Crystal Growth and Design

Volumn 9, Issue 7, 2009, Pages 3177-3182

  Thangala, Jyothish ^a   Chen, Zhiqiang ^b,d   Chin, Alan ^c   Ning, Cun Zheng ^c   Sunkara, Mahendra K ^a  

^a University of Louisville   (United States)

^b UNIVERSITY OF LOUISVILLE   (United States)

^c Arizona State University   (United States)

^d MONSANTO COMPANY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 67650034755     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg801198p     Document Type: Article

References (27)

1. Asahi, R.; Morikawa, T.; Ohwaki, T.; Aoki, K.; Taga, Y. Science 2001, 293, 269-271.
2. Daniela, P.; Bjorn, M.; Eric, L. M.; Richard, E. R. Electrochem. Solid-State Lett. 2005, 8, G301-G303.
3. Zhang, Y.; Fluegel, B.; Mascarenhas, A.; Xin, H. P.; Tu, C. W. Phys. Rev. B 2000, 62, 4493.
4. Jefferson, P. H.; Veal, T. D.; Piper, L. F. J.; Bennett, B. R.; McConville, C. F.; Murdin, B. N.; Buckle, L.; Smith, G. W.; Ashley, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 111921.
5. Kerlau, M.; Merdrignac-Conanec, O.; Guilloux-Viry, M.; Perrin, A. Solid State Sci. 2004, 6, 101-107.
6. Habraken, F. H. P. M.; Kuiper, A. E. T.; Tamminga, Y.; Theeten, J. B. J. Appl. Phys. 1982, 53, 6996-7002.
7. Thangala, J.; Vaddiraju, S.; Bogale, R.; Thurman, R.; Powers, T.; Deb, B.; Sunkara, M. K. Small 2007, 3, 890-896.
8. Vaddiraju, S.; Chandrasekaran, H.; Sunkara, M. K. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 10792-10793.
9. Mahan, A. H.; Parilla, P. A.; Jones, K. M.; Dillon, A. C. Chem. Phys. Lett. 2005, 413, 88-94.
10. Dhara, S.; Datta, A.; Wu, C. T.; Lan, Z. H.; Chen, K. H.; Wang, Y. L.; Hsu, C. W.; Shen, C. H.; Chen, L. C.; Chen, C. C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5473-5475.
11. Robinson, R. D.; Sadtler, B.; Demchenko, D. O.; Erdonmez, C. K.; Wang, L. W.; Alivisatos, A. P. Science 2007, 317, 355-358.
12. Son, D. H.; Hughes, S. M.; Yin, Y.; Paul Alivisatos, A. Science 2004, 306, 1009-1012.
13. Peng, H.; Schoen, T. D.; Mcllwrath, K.; Zhang, F. X.; Cui, Y. Nano Lett. 2007, 7, 3734-3738.
14. Peng, H.; Schoen, T. D.; Meister, S.; Zhang, F. X.; Cui, Y. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 34-35.
15. Dloczik, L.; Konenkamp, R. Nano Lett. 2003, 3, 651-653.
16. Li, X. L.; Liu, J. F.; Li, Y. D. Inorg. Chem. 2003, 42, 921-924.
17. Zhou, J.; Ding, Y.; Deng, S. Z.; Gong, L.; Xu, N. S.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2005, 17, 2107-2110.
18. Chen, Z.; Cvelbar, U.; Mozetic, M.; He, J.; Sunkara, M. K. Chem. Mater. 2008, 20, 3224-3228.
19. Williams, R. S.; Medeiros-Ribeiro, G.; Kamins, T. I.; Ohlberg, D. A. A. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 425-433.
20. Porsche, J.; Ruf, A.; Geiger, M.; Scholz, F. J. Cryst. Growth 1998, 195, 591-595.
21. Smith, D. L. Thin-Film Deposition; McGraw-Hill: New York, 2000.
22. Toth, L. E. Transition Metal Carbides and Nitrides; Academic: New York, 1971.
23. Shen, L. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2005, 914, 1-6.
24. Lee, K.; Seo, W. S.; Park, J. T. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 3408-3409.
25. Wischmeier, L.; Bekeny, C.; Voss, T.; Börner, S.; Schade, W. Phys. Status Solidi B 2006, 243, 919-923.
26. Chin, A. H.; Ahn, T. S.; Li, H.; Vaddiraju, S.; Bardeen, C. J.; Ning, C. Z.; Sunkara, M. K. Nano Lett. 2007, 7, 626-631.
27. Gonzalez, A. E.; J, S. G.; Santiago, S. G. Semicond. Sci. Technol. 2007, 22, 709-716.