Synthesis of ZnO nanowires and their applications as an ultraviolet photodetector

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 9, Issue 5, 2009, Pages 2813-2819

  Lin, Chih Cheng ^a   Lin, Wang Hua ^a   Li, Yuan Yao ^a  

^a NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Device.; Nanostructure; Thermal decomposition; UV photodetector; Zinc oxide

Indexed keywords

DEVICE.; FLUORESCENCE SPECTROPHOTOMETRY; GLASS SUBSTRATES; GROWTH MECHANISMS; GROWTH PROCESS; HIGH PURITY; OPTICAL ANALYSIS; PHOTOCURRENT CHARACTERISTICS; PHOTORESPONSE; PREFERRED GROWTH; SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH; THERMAL DECOMPOSITION; THERMAL DECOMPOSITIONS; TIN DOPED INDIUM OXIDE; ULTRA-VIOLET PHOTODETECTORS; UNIFORM DIAMETER; UV PHOTODETECTOR; UV-VISIBLE; VAPOR-SOLID; ZINC ACETATE; ZNO; ZNO NANOWIRE ARRAYS; ZNO NANOWIRES;

CRYSTAL ORIENTATION; ELECTRIC WIRE; EPITAXIAL GROWTH; INDIUM COMPOUNDS; NANOWIRES; OPTICAL PROPERTIES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOCURRENTS; PHOTODETECTORS; PHOTORESISTS; PYROLYSIS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS; SYNTHESIS (CHEMICAL); THERMOGRAVIMETRIC ANALYSIS; TIN; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; ZINC;

ZINC OXIDE;

EID: 67649234555     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2009.008     Document Type: Article

References (39)

1. R. E. Service, Science 276, 895 (1997).
2. C. L. Hsu, S. J. Chang, Y. R. Lin, P. C. Li, T. S. Lin, S. Y. Tsai, T. H. Lu, and I. C. Chen, Chem. Phys. Lett. 416, 75 (2005).
3. X. G. Zheng, Q. S. Li, J. P. Zhao, D. Chen, B. Zhao, Y. J. Yang, and L. C. Zhang, Appl. Surf. Sci. 253, 2264 (2006).
4. R. C. Wang, C. P. Liu, J. L. Huang, S. J. Chen, Y. K. Tseng, and S. C. Kung, Appl. Phys. Lett. 87, 013110 (2005).
5. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
6. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. D. Yang, Nat. Mater. 4, 455 (2005).
7. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001).
8. X. W. Sun, L. D. Wang, and H. S. Kwok, Thin Solid Films 360, 75 (2000).
9. Z. Q. Xu, H. Deng, J. Xie, Y. Li, and X. T. Zu, Appl. Surf. Sci. 253, 476 (2006).
10. H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, and P. D. Yang, Adv. Mater. 14, 158 (2002).
11. S. E. Ahn, J. S. Lee, H. Kim, S. Kim, B. H. Kang, K. H. Kim, and G. T. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 5022 (2004).
12. X. Wang, Q. W. Li, Z. B. Liu, J. Zhang, Z. F. Liu, and R. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4941 (2004).
13. F. Fang, D. X. Zhao, J. Y. Zhang, D. Z. Shen, Y. M. Lu, X. W. Fan, B. H. Li, and X. H. Wang, Nanotechnology 18, 235604 (2007).
14. J. J. Wu and S. C. Liu, J. Phys. Chem. B 106, 9546 (2002).
15. W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
16. C. X. Xu, A. Wei, X. W. Sun, and Z. L. Dong, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 1690 (2006).
17. J. S. Jie, G. Z. Wang, Q. T. Wang, Y. M. Chen, X. H. Han, X. P. Wang, and J. G. Hou, J. Phys. Chem. B 108, 11976 (2004).
18. Y. Zhang, H. Jia, R. M. Wang, C. P. Chen, X. H. Luo, D. P. Yu, and C. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 4631 (2003).
19. H. Q. Le, S. J. Chua, Y. W. Koh, K. P. Loh, Z. Chen, C. V. Thompson, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 87, 101908 (2005).
20. Y. Gao and M. Nagai, Langmuir 22, 3936 (2006).
21. X. Su, Z. Zhang, Y. Wang, and M. Zhu, J. Phy. D: Appl. Phys. 38, 3934 (2005).
22. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. PHY. Lett. 4, 89 (1964).
23. S. W. Kim, S. Fuji, and S. Fuji, Appal. PHY. Lett. 86, 153119 (2005).
24. X. H. Han, G. Z. Wang, J. S. Jie, W. C. H. Choy, Y. Luo, T. I. Yuk, and J. G. Hou, J. Phys. Chem. B 109, 2733 (2005).
25. P. Yang and C. M. Lieber, J. Mater. Res. 12, 2981 (1997).
26. Q. Zhao, X. Xu, H. Zhang, Y. Chen, J. Xu, and D. Yu, Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. 79, 1721 (2004).
27. A. Umar, S. H. Kim, Y. S. Lee, K. S. Nahm, and Y. B. Hahn, J. Cryst. Growth 282, 131 (2005).
28. G. W. Sears, Acta Metallurgica 3, 367 (1955).
29. J. M. Blakely and K. A. Jackson, J. Chem. Phys. 37, 428 (1962).
30. Y. J. Xing, Z. H. Xi, Z. Q. Xue, X. D. Zhang, J. H. Song, R. M. Wang, J. Xu, Y. Song, S. L. Zhang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett.
31. K. Vanheusden.W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).
32. B. X. Lin, Z. X. Fu, and Y. B. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001).
33. D. H. Zhang, J. Phys. D: Appl. Phys. 28, 1273 (1995).
34. Y. Takahashi, M. Kanamori, A. Kondoh, H. Minoura, and Y. Ohya, Japan. J. Appl. Phys. 33, 6611 (1994).
35. P. Sharma, K. Sreenivas, and K. V. Rao, J. Appl. Phys. 93, 3963 (2003).
36. J. Suehiro, N. Nakagawa, S. I. Hidaka, M. Ueda, K. Imasaka, M. Higashihata, T. Okada, and M. Hara, Nanotechology 17, 2567 (2006).
37. Y. N. Xia, P. D. Yang, Y. G. Sun, Y. Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. D. Yin, F. L. Kim, and H. Q. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003).
38. M. J. Liu and H. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 173 (2004).
39. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).