Pulse electrodeposition of iridium oxide on silicon nanotips for field emission study

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 9, Issue 5, 2009, Pages 3264-3268

  Chen, Te Ming ^a   Hung, Jui Yi ^a   Panh, Fu Ming ^a   Chang, L ^a   Wu, Shich Chuan ^b   Lien, Ta Chang ^c  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL NANO DEVICE LABORATORIES   (Taiwan)

^c INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

Field emission; Iridium oxide.; Pulse electrodeposition; Si nanotip

Indexed keywords

ANODIC ALUMINUM OXIDE; AVERAGE VALUES; BIPOLAR PULSE; ELECTRON FIELD EMISSION PROPERTIES; FIELD EMISSION PROPERTY; FIELD ENHANCEMENT FACTOR; IRIDIUM OXIDE.; IRIDIUM OXIDES; PHYSICAL AND CHEMICAL PROPERTIES; PULSE ELECTRODEPOSITION; SEM AND TEM; SI NANOTIP; SILICON NANOTIPS; STRUCTURE AND MORPHOLOGY; TEMPLATED; WELL-DISPERSED; XRD;

ALUMINA; ELECTRODEPOSITION; EMISSION SPECTROSCOPY; FIELD EMISSION; IRIDIUM; IRIDIUM COMPOUNDS; NANOPARTICLES; SILICON; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

NANOTIPS;

EID: 67649159727     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2009.203     Document Type: Article

References (25)

1. G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and 0. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).
2. P.-L. Chen, J.-K. Chang, C. T. Kuo, and F.-M. Pan, Diamond Relat. Mater 13, 1949 (2004).
3. O. L. Golubev, T. I. Sudakova, and V. N. Shrednik, Technical Physics 45, 1575 (2000).
4. R. Z. Bakhtizin, S. S. Ghots, and E. K. Ratnikova, IEEE Transactions On Electron Devices 38, 2398 (1991).
5. S. H. Ahn, K. R. Lee, K. Y. Eun, and D. Jeon, Surf Coat. Technol.120-121, 734 (1999).
6. J. C. She, S. Z. Deng, N. S. Xu, R. H. Yao, and J. Chen, AppI. Phys. Lett. 88, 013112 (2006).
7. W. A. de Heer, A. Châtelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
8. Y. Saito and S. Uemura, Carbon 38, 169 (2000).
9. J. M. Bonard, J. P. Salvetat, T. Stöckli, W. A. de Heer, L. Forrö, and A. Châtelain, Appl. Phys. Lett. 73, 918 (1998).
10. R. S. Chen, Y. S. Huang, Y. M. Liang, C. S. Hsieh, D. S. Tsai, and K. K. Tiong, Appi. Phys. Lett. 84, 1552 (2004).
11. Y. K. Tseng, C. J. Huang, H. M. Chen, I. N. Lin, K. S. Liu, and I. C. Chen, Adv. Funct. Mater 13, 811 (2003).
12. S. H. Jo, J. Y. Lao, Z. F. Ren, R. A. Farrer, T. Baldacchini, and J. T. Fourkas, Appl. Phys. Lett. 83, 4821 (2003).
13. C. H. Hsu, H. C. Lo, C. F. Chen, C. T. Wu, J. S. Hwang, D. Das, J. Tsai, L. C. Chen, and K. H. Chen, Nano Lett. 4, 471 (2004).
14. T.-M. Chen, J.-Y. Hung, F.-M. Pan, L. Chang, J.-T. Sheu, and S.-C. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 11, K40 (2008).
15. T. M. Chen, F. M. Pan, I. Y. Hung, L. Chang, S. C. Wu, and C. F. Chen, J. Electrochem. Soc. 154, D215 (2007).
16. M. A. El Khakani, M. Chaker, and E. Gat, Appi. Phys. Len. 69,2027 (1996).
17. B. R. Chalamala, Y. Wei, R. H. Reuss, S. Aggarwal, S. R. Perusse, B. E. Gnade, and R. Ramesh, .1. Vac. Sci. Technol. B 18, 1919 (2000).
18. B. R. Chalamala, Y. Wei, R. H. Reuss, S. Aggarwal, B. E. Gnade, R. Ramesh, J. M. Bernhard, E. D. Sosa, and D. E. Golden, Appl. Phys. Lett. 7, 1394 (1999).
19. B. R. Chalamala, R. H. Reuss, K. A. Dean, E. Sosa, and D. E. Golden, J. Appl. Phys.91, 6141 (2002).
20. K. Yamanaka, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 632 (1989).
21. M. A. Petit and V. Plichon, J. Electroanal. chem. 444, 247 (1998).
22. R. S. Chen, Y. S. Huang, Y. M. Liang, D. S. Tsai, Y. Chi, and J. 3. Kai, J. Mater Chem. 13, 2525 (2003).
23. D. Nicolaescu, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 392 (1993).
24. A. Zeitoun-Fakiris and B. Juttner, J. Phys. D 21, 960 (1988).
25. N. S. Xu, J. C. She, S. F. Huq, 3. Chen, and S. Z. Deng, Appl. Phys. Lett. 73, 3668 (1998).